天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117766576A。本發明涉及半導體功率器件領域，具體說是一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT。它包括第一導電類型的半導體襯底，半導體襯底的正面設置有若干個元胞，所述元胞中至少有一個深溝槽，深溝槽內有屏蔽柵結構，深溝槽的兩側有離子注入區及接觸孔。其特點是，所述深溝槽下方有超結結構電荷平衡區，超結結構電荷平衡區含有兩層及兩層以上第一導電類型的結構和第二導電類型的結構，相連兩層結構的導電類型不同，且最內層為第二導電類型的結構，其包圍在深溝槽外側。相連兩層結構間，外側的結構包圍在內側的結構外側，且外側的結構頂部不超過內側的結構頂部。該IGBT的可靠性高，開關損耗低。