據國家知識產權局公告，揚州揚杰電子科技股份有限公司申請一項名為“一種高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法“，公開號CN117637475A，申請日期為2023年11月。

專利摘要顯示，一種高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法。涉及半導體技術領域。包括以下步驟：步驟S100，在外延片上對無源區和n個有源區之間進行離子注入，形成ISO隔離區；步驟S200，在外延片上去除G電極區域外部外延片上的PGaN層，并沉積第一隔離層；步驟S300，外延片上每個有源區內，在D電極區域制備D電極槽，在S電極區域制備S電極槽；步驟S400，在D電極槽內制備D電極，在S電極槽內制備S電極，有源區外制備與D、S電極互聯的D、S電極pad金屬并沉積第二隔離層；本發明可以在不影響器件柵控能力、不引入額外寄生電感和寄生電阻的情況下，達到提升單個器件通流能力，提高器件大尺寸封裝功率密度的優點。