從湖南六建華西公司官微獲悉：2024年1月23日，華西公司三安半導體碳化硅襯底項目B1棟順利封頂！

此項目總體分為兩個項目標段，總面積約5.8萬㎡，合同工期僅為8個月，項目于2023年11月15日正式進場施工。

重慶三安半導體碳化硅襯底項目（生活服務設施區）總建筑面積：2.08萬㎡，建筑最高高度：26.20米，B1、B2棟6層框架結構，B3棟為7層框架結構，B4棟6層框剪結構。

安意法半導體8英寸碳化硅外延、芯片項目（生活服務設施區）總建筑面積：3.7萬㎡，建筑最高高度41.10米，A1、A2棟6層框架結構，A3、A4棟12層框剪結構，C1棟3層框架結構。

據悉，該項目業主方為“三安意法半導體(重慶)有限公司”，是我國芯片行業第一個8英寸襯底項目，不僅是建投六建進駐三安光電公司的首個項目，也是闖進重慶市高新區市場的首個項目。一方面為深入挖掘三安光電公司體系內的其他項目奠定基礎，也為拓展其他同類型項目提供了借鑒；另一方面為進一步打開重慶市高新區市場樹立了品牌，有助于進一步提升公司的市場競爭力。

項目建成后將成為重慶市半導體行業發展的新標桿、新名片，進一步推動中國半導體產業的發展。