天岳先進在回答投資者提問時表示，碳化硅單晶作為新興半導體材料，面臨碳化硅襯底制備難度大，技術門檻高等問題，截至目前國際上仍只有少數企業掌握襯底規模化生產能力，是產業鏈的核心關鍵環節。由于目前產業化制備方法，碳化硅大規模生產存在晶體缺陷控制難度大的問題，目前公司對缺陷的表征方法和控制手段進行基礎研究，以持續提高晶體生長效率和質量。同時為繼續保持在全球技術和產品競爭中的領先優勢，公司在前瞻技術研發布局上持續加大投入，未來，公司將不斷緊跟產業趨勢和技術前沿，持續夯實技術領先優勢，聚焦碳化硅襯底精耕細作，努力爭取在技術層面實現持續突破和進步。