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中芯集成-U取得半導體器件專利,可更為精確控制電極材料層消耗量

日期:2024-01-08 閱讀:232
核心提示:據國家知識產權局公告,紹興中芯集成電路制造股份有限公司取得一項名為半導體器件及其形成方法,授權公告號CN111740717B,申請日

 據國家知識產權局公告,紹興中芯集成電路制造股份有限公司取得一項名為“半導體器件及其形成方法“,授權公告號CN111740717B,申請日期為2020年2月。專利摘要顯示,本發明提供了一種半導體器件及其形成方法。在形成圖形化的光阻層之前,還在電極材料層上形成掩模材料層,并且在對掩模材料層執行圖形化工藝時,僅將光阻層中的電極圖形復制至掩模材料層的上部分中,從而在去除光阻層的過程中,可避免用于去除光阻層的剝離液侵蝕電極材料層。以及,在圖形化的掩模層的掩模下,結合裁剪工藝進一步圖形化電極材料層,以構成電極層,進而可以更為精確的控制電極材料層的消耗量,有利于保障所形成的電極層的性能。

(來源:金融界)

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