安世半導體（Nexperia）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。

NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 是 Nexperia SiCMOSFET 產品組合中首批發布的產品，隨后 Nexperia 將持續擴大產品陣容，推出多款具有不同 RDS(on) 的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(ESS)逆變器等汽車和工業應用對高性能 SiCMOSFET 的需求。

RDS(on) 會影響傳導功率損耗，是 SiC MOSFET 的關鍵性能參數。安世半導體認為這是目前市場上許多 SiC 器件性能的限制因素。但是通過創新工藝技術，安世半導體的首款 SiC MOSFET 實現了業界領先的溫度穩定性，在 25℃ 至 175℃ 的工作溫度范圍內，RDS(on) 的標稱值僅增加 38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半導體 SiC MOSFET的總柵極電荷(QG)非常低，由此可實現更低的柵極驅動損耗。此外，安世半導體通過平衡柵極電荷，使QGD與QGS比率非常低，這一特性又進一步提高了器件對寄生導通的抗擾度。

除了正溫度系數外，安世半導體 SiC MOSFET 的 VGS(th) 閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯工作時，在靜態和動態條件下都能實現非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續流操作的死區時間要求。

安世半導體未來還計劃推出車規級 MOSFET。NSF040120L3A0 和 NSF080120L3A0 現已投入大批量生產。