近日，清源科創(chuàng)正式完成對功率芯片創(chuàng)業(yè)公司安銳半導(dǎo)體的戰(zhàn)略投資，這是公司在芯片設(shè)計研發(fā)領(lǐng)域的首個戰(zhàn)略布局，雙方將攜手在以碳化硅為核心的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域開展深度合作。安銳半導(dǎo)體是一家專注于第三代半導(dǎo)體芯片設(shè)計研發(fā)的科技公司，由該領(lǐng)域的資深科技團(tuán)隊創(chuàng)立，團(tuán)隊成員具有深厚的功率芯片研發(fā)經(jīng)驗，截至目前已經(jīng)完成了數(shù)款在國內(nèi)市場上性能領(lǐng)先的碳化硅功率芯片的設(shè)計和流片。

碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，其禁帶寬度是硅的3倍，擊穿場強是硅的8倍，這使得碳化硅半導(dǎo)體能夠承受更高的溫度、更強的電場和更強的輻射環(huán)境。此外，碳化硅半導(dǎo)體還具有高載流子遷移率、高熱導(dǎo)率和優(yōu)良的抗化學(xué)腐蝕性能，使其在高溫、高壓、高頻率和高輻射環(huán)境中有很好的應(yīng)用前景。碳化硅功率半導(dǎo)體器件表現(xiàn)出高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電壓和高效率等特性，從而降低了能耗并縮小了元器件尺寸，在光伏、儲能、充電和電動汽車等高壓大功率應(yīng)用中，碳化硅材料的優(yōu)勢可以得到充分發(fā)揮。

安銳半導(dǎo)體目前已有三款1200V SiC MOSFET完成了設(shè)計和流片，并已交付給工控領(lǐng)域的部分用戶進(jìn)行測試，在該領(lǐng)域處于國內(nèi)第一梯隊。清源科創(chuàng)堅定看好第三代半導(dǎo)體在功率元器件領(lǐng)域的應(yīng)用趨勢，相信在該領(lǐng)域?qū)⒂瓉硇袠I(yè)應(yīng)用的快速成長。

除股權(quán)投資外，清源科創(chuàng)也將在公司管理、市場拓展、生產(chǎn)優(yōu)化等方面與安銳半導(dǎo)體創(chuàng)始團(tuán)隊深度合作。清源科創(chuàng)將利用自身在資本市場、行業(yè)資源和市場運營等方面的優(yōu)勢，幫助安銳半導(dǎo)體加速產(chǎn)品研發(fā)和市場推廣，提升品牌影響力，共同開拓碳化硅功率半導(dǎo)體市場。雙方攜手共進(jìn)，推動碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為新能源、節(jié)能環(huán)保等領(lǐng)域提供更高效、更可靠的解決方案。