近日，芯塔電子正式發布自主研發的1700V/5Ω SiC MOSFET產品。此舉進一步豐富了公司SiC產品系列，也是芯塔電子在寬禁帶半導體功率器件國產化方面的又一關鍵里程碑。

據悉，該產品針對高端汽車級應用而開發，擊穿電壓達到2300V，18V驅動下Rdson的典型值5Ω，15V驅動下典型值為7Ω。產品在開發過程中，研發團隊通過改進MOS可靠性，提高了器件的閾值電壓，并做了很多優化設計和余量設計，使之更能勝任新能源汽車領域的應用需求。同時，產品具有更小的芯片尺寸，可以有效幫助客戶減少成本。

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET的高耐壓簡化了應用電路，提升了應用方案的可靠性，大幅降低了系統成本。同時，SiC MOSFET極小漏電流讓客戶大幅度提升應用性能。得益于芯塔電子國產化供應鏈保障，產品的成本及供貨更具優勢和競爭力，目前已獲多家客戶訂單。

芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監測。該應用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之響應速度更快、體積縮小、壽命延長等，對提升車輛電源系統整體效能、可靠性及安全性有著重要意義。同時，該產品也為公司光耦繼電器合作商邁向800V高端新能源汽車市場提供強大賦能和支持。

融資方面，今年6月，芯塔電子完成近億元Pre-A輪融資。本輪融資由吳興產投領投，興產財通、禾創致遠、叢蓉智芯、蘇納微新跟投。據悉，本輪資金將主要用于車規級碳化硅功率模塊產線的建設、加速產品研發、提升產能及加強供應鏈保障等。

此外，項目方面，據芯塔電子創始人兼CEO倪煒江透露，芯塔電子車規級碳化硅模塊產線已經在浙江湖州完成落地，將于2023年底前完成通線。新建的模塊封裝線將緊密結合新能源汽車對新型SiC MOSFET模塊的需求，公司已與戰略合作的整車廠以及T1廠商達成了產品合作的意向，產品量產后立刻進行完整的上車測試與整車驗證。上述融資資金也將重點運用于產線建設。

芯塔電子團隊深耕寬禁帶功率半導體領域多年，已從人才儲備、技術研發、平臺建設、供應鏈保障、質量管控等方面做好全方位戰略布局，始終瞄準國際技術最前沿，以提供國際一流的國產化碳化硅功率芯片為己任，助力實現國家“雙碳”戰略的宏偉目標。芯塔電子憑借自己綜合實力，已經成功進入國內第一梯隊碳化硅供應商。

（來源：芯塔電子、芯TIP）