近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產業網（m.ynpmqx.com）、第三代半導體產業主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟人才發展委員會、全國半導體應用產教融合（東莞）職業教育集團聯合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，西安電子科技大學微電子學院教授許晟瑞帶來了“襯底工程對氮化物LED的影響研究”的主題報告，分享了最新研究成果。第三代半導體又稱寬禁帶半導體， 禁帶寬度在 2.2 eV 以上，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點。第三代半導體材料的興起，則是以氮化鎵（GaN）材料 p 型摻雜的突破為起點，成功研制了高亮度藍光發光二極管和藍光激光器。

GaN是新一代光電器件、高頻、高功率器件的理想材料。目前在快速充電以及5G基站中已經被廣泛應用。即便已經具有目前最高的發光效率，氮化物短波長和長波長LED的發光效率依然很低！主要原因之一是缺陷。和無位錯單晶的硅和砷化鎵相比，氮化鎵材料體系深受位錯的困擾。氮化物的發展歷程是一部和缺陷斗爭的歷史過程。最終實現了和缺陷的“共存”。

圖形襯底技術以及空氣腔技術可以極大的改變光路，提高光提取效率。但是電子器件并沒有光提取的需求。同時圖形襯底制備增加了襯底成本和周期。外延過程中需要外延層的厚度很大，至少需要高于圖形高度并修復平整。適用范圍有限，對于橫向外延速度較慢的AlN等材料，需要非常厚的外延層才能合并。迫切需要一種光電和電子器件通用的、工藝簡單的能提高GaN晶體質量的方法。研究采用離子注入誘導GaN成核的方式，使GaN的晶體質量顯著提升，進而提升了LED的性能。

CASICON 系列活動簡介

 “先進半導體產業大會（CASICON）”由【極智半導體產業網】主辦，每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。活動聚焦先進半導體產業發展熱點，聚合產業相關各方訴求，通過“主題會議+項目路演+展覽”的形式，促進參與各方交流合作，積極推動產業發展。CASICON 系列活動將以助力第三代半導體產業為己任，聯合實力資源，持續輸出高質量的活動內容，搭建更好的交流平臺，為產業發展貢獻應盡的力量。

（備注：以上信息僅根據現場整理未經嘉賓本人確認，僅供參考！）