7月31日，天岳先進(688234.SH)在投資者互動平臺表示，碳化硅晶體的生長方法主要有物理氣相傳輸法（PVT）、高溫化學氣相沉積法、液相法等。
其中，PVT法是目前規模化碳化硅晶體生長方法。而液相SiC長晶技術具有多個優勢，包括晶體質量高、成本低等，近年來受到高度關注。目前液相法尚未實現產業化大規模生產。
公司是國內最早從事碳化硅半導體材料產業化的企業之一，具備技術領先的技術優勢和產業化能力。在碳化硅長晶方面，公司具有全自主的核心技術，實現了從2英寸到8英寸完全自主擴徑，從基礎原理到技術、工藝的深入積累。
公司是國際上少數幾個自主掌握碳化硅襯底制備核心關鍵技術能夠實現規模化生產的企業之一，特別是具備突出的產業化經驗。
公司近年來研發投入較大，研發與規模化生產形成良好的正循環積累，一方面公司工程化試驗數據為技術和良率的持續改進提供了關鍵支持，也是產品質量領先的關鍵因素；另一方面，碳化硅襯底制備具有較高的技術壁壘，同時技術發展日新月異，這都有助于提高襯底質量、降低襯底成本、推動碳化硅半導體材料和技術的加快滲透應用。公司在前瞻性技術發展方向做了全方位布局。
