5月26日，廈門市工業和信息化局公布了《關于廈門士蘭集科微電子有限公司新增年產30萬片IGBT功率器件芯片擴產項目節能報告的審查意見》。
審查意見顯示，該項目建設單位為廈門士蘭集科微電子有限公司，擬于2024年12月投入使用。建設將利用現有12英寸廠房FAB1，在廠房二層和三層預留區域新增生產設備。其中，二層為工藝技術下夾層，三層預留區域主要布置光刻（LITHO）、刻蝕（ETCH）、濕法刻蝕（WET）、擴散（DIFF）、薄膜（TFD/TFM）、離子注入（IMP）等。共計使用建筑面積17748.48m2，工藝面積計4000m2。項目建成后可年產30萬片12英寸IGBT功率器件芯片。
審查意見指出，結合專家評審意見，原則同意該項目節能報告。并且在審查意見自印發之日起2年內有效。若2年內未能如期開工建設，建設單位應在有效期滿前30天內向市工信局申請延長有效期。若超期未建且未申請延期，或已申請延期但申請未在失效期前獲批，節能審查意見自動失效。
