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CASICON 2023長沙站:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)展探討

日期:2023-05-06 閱讀:448
核心提示:以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時(shí),以金剛石、氧化鎵

 以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料已逐漸在5G通信、汽車電子、快速充電等方面得到大量應(yīng)用。與此同時(shí),以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料與其他先進(jìn)電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性,具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ苍絹碓降玫絿鴥?nèi)外的重視。

2023年5月5-7日,“2023碳化硅關(guān)鍵裝備、工藝及其他新型半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展論壇”在長沙召開。論壇在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)下,由極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)與中國電子科技集團(tuán)第四十八研究所等單位聯(lián)合組織。論壇圍繞“碳化硅襯底、外延及器件相關(guān)裝備產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展”、“關(guān)鍵零部件及制造工藝創(chuàng)新突破”、“產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同創(chuàng)新”、“氮化鎵與氧化鎵等其他新型半導(dǎo)體”,邀請產(chǎn)業(yè)鏈上下游的企業(yè)及高校科研院所代表深入研討,攜手促進(jìn)國內(nèi)碳化硅及其他半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

場景

期間,“平行論壇2:氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體”如期召開。分會(huì)上,中南大學(xué)教授汪煉成,中科院半導(dǎo)體研究所研究員陳雄斌,南京大學(xué)教授王科,湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長陳峰武,河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝,哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授王琮,中電科第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師彭大青,湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)助理教授李陽鋒,中國科學(xué)院上海光機(jī)所研究員夏長泰,廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院教授張洪良,西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng),山東大學(xué)胡秀飛博士,山東大學(xué)新一代材料研究院副教授穆文祥,中南大學(xué)物理電子學(xué)院副教授袁小明,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院趙曉龍,中國電子科技集團(tuán)第四十六所高級工程師張勝男,湖南大學(xué)新一代半導(dǎo)體研究院副教授胡偉等嘉賓帶來精彩報(bào)告,深入探討氮化鎵、氧化鎵及其他新型半導(dǎo)體的研究進(jìn)展。南京大學(xué)教授謝自力,廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長張保平,中南大學(xué)教授劉艷平,中南大學(xué)教授汪煉成共同主持本論壇。

謝自力1

南京大學(xué)教授謝自力

張保平

廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院副院長張保平

劉艷平

中南大學(xué)教授劉艷平

汪煉成1

中南大學(xué)教授汪煉成

原位集成亞波長光學(xué)結(jié)構(gòu)micro-LEDs器件研究

陳雄斌

中科院半導(dǎo)體研究所研究員陳雄斌

氮化鎵基光通信技術(shù)及應(yīng)用

王科

南京大學(xué)教授王科

氮化物半導(dǎo)體數(shù)字混晶與極化誘導(dǎo)二維空穴氣

陳峰武

湖南爍科晶磊半導(dǎo)體科技有限公司科技部部長陳峰武

分子束外延設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)展及展望

張紫輝1

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝

GaN功率電子器件的物理建模與制備研究

王琮1

哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授王琮

GaN基寬帶高效功率放大器的進(jìn)展與展望

彭大青

中電科第五十五研究所副主任設(shè)計(jì)師彭大青

微波氮化鎵外延材料研究進(jìn)展

李陽鋒

湖南大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)院(集成電路學(xué)院)助理教授李陽鋒

原位AlGaN插入層降低InGaN  LED漏電流

夏長泰1

中國科學(xué)院上海光機(jī)所研究員夏長泰

下一代半導(dǎo)體——氧化鎵之管見

張洪良 

廈門大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院教授張洪良

氧化鎵薄膜外延及電子結(jié)構(gòu)研究

李強(qiáng)

西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)

基于LPCVD生長六方氮化硼薄膜的特性及應(yīng)用研究

胡秀飛

山東大學(xué)胡秀飛博士

金剛石材料制備和應(yīng)用研究

穆文祥

山東大學(xué)新一代材料研究院副教授穆文祥

氧化鎵單晶生長及缺陷研究

袁小明

中南大學(xué)物理電子學(xué)院副教授袁小明

III-V族化合物納米半導(dǎo)體陣列的選區(qū)外研生長及探測應(yīng)用

趙曉龍

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院趙曉龍

氧化鎵光電探測器研究進(jìn)展

張勝男

中國電子科技集團(tuán)第四十六所高級工程師張勝男

氧化鎵材料研究進(jìn)展及發(fā)展思考

胡偉

湖南大學(xué)新一代半導(dǎo)體研究院副教授胡偉

氧化鎵的可控?fù)诫s與性能調(diào)控

 

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