近日，中國(guó)電科55所與一汽聯(lián)合推動(dòng)碳化硅功率器件及模組科技創(chuàng)新，研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成樣品流片，首款全國(guó)產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。

中國(guó)電科消息稱(chēng)，在750V碳化硅功率芯片項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)、材料應(yīng)用維度開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)，推動(dòng)碳化硅功率芯片技術(shù)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。目前，已進(jìn)入產(chǎn)品級(jí)測(cè)試階段。

而在2in1碳化硅功率模塊項(xiàng)目中，雙方技術(shù)團(tuán)隊(duì)圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)，實(shí)現(xiàn)芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計(jì)與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、塑封工藝開(kāi)發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程自主創(chuàng)新，為碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與生產(chǎn)全自主化、全國(guó)產(chǎn)化打下基礎(chǔ)。

未來(lái)，55所將持續(xù)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關(guān)，推動(dòng)碳化硅功率器件及模組關(guān)鍵核心技術(shù)自主創(chuàng)新；今年初，中國(guó)電科46所也成功制備出我國(guó)首顆6英寸氧化鎵單晶。當(dāng)時(shí)消息指出，該成果系“國(guó)內(nèi)第一”且“達(dá)到國(guó)際最高水平”。