三菱電機公司宣布，將在截至2026 年 3 月的五年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約 2600 億日元，主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅 (SiC) 功率半導體的生產。根據該計劃，三菱電機預計將響應快速增長的電動汽車 SiC 功率半導體需求，并擴大新應用市場，例如低能量損耗、高溫運行或高速開關等。該計劃還將使三菱電機能夠為全球節能和脫碳的綠色轉型趨勢做出貢獻。

新增投資的主要部分，約 1000 億日元，將用于建設新的 8 英寸 SiC 晶圓廠和增強相關生產設施。新工廠將合并熊本縣酒酒井地區的自有設施，將生產大直徑 8 英寸 SiC 晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產效率的無塵室. 此外，該公司還將加強其 6 英寸 SiC 晶圓的生產設施，以滿足該領域不斷增長的需求。

此外，三菱電機將新投資約 100 億日元用于新工廠，該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務，用于功率半導體的組裝和檢查。集設計、開發、生產技術驗證于一體，將大大提升公司的開發能力，便于及時量產以響應市場需求。剩余的 200 億日元全部為新投資，將用于設備改進、環境安排和相關運營。

多年來，三菱電機在引領家電、工業設備、軌道車輛等領域SiC功率模塊市場的同時，包括全球首款*空調和高鐵SiC功率模塊，在高功率領域積累了豐富的專業知識。 SiC 功率半導體生產的性能、高可靠性篩選技術和許多其他方面。

（來源：三菱電機）