半導體產業網訊：近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品從工業領域向新能源汽車領域邁出堅實步伐。
提升性能，做實高品質產品
通過認證的國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。
此外，相比傳統的硅基二極管產品，SiC-SBD器件在高耐壓、高導熱、低損耗等性能方面表現更出色，并且擁有快速的恢復時間，可以提高開關速率，減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，更節省空間與重量，可適配尺寸較小的終端產品，適用于新能源電動汽車的車載充電機、控制系統以及汽車充電樁電路等場景。
公司SiC-SBD產品應用場景示意圖
拓展應用，推進三代半“上車”
隨著新一輪科技革命和產業變革加速演進，半導體新興應用領域發展迅猛。第三代半導體作為國星光電前瞻布局的重要方向之一，在過去一年里，公司面向SiC（碳化硅）及GaN（氮化鎵）開發的系列新產品已陸續問世，如應用于光伏逆變、儲能、充電樁等場景的NSiC-KS系列產品；應用于太陽能發電、電網傳輸、風力發電等領域的NS62m功率模塊；應用于照明及大功率驅動市場的GaN-IC器件等，已逐漸形成品類豐富、品質上乘的產品布局，并與多家知名廠商建立良好的合作關系。
應用場景示意圖
此次通過認證的車規級SiC-SBD是國星光電布局車載應用推出的首款車載功率器件，此外，公司車規級SiC-MOSFET分立器件及all-SiC功率模塊系列產品已同步在車規系列技術路線中布局，將為國星光電第三代半導體產品加快滲透新能源車載領域，推動公司高質量發展“加速跑”注入源源不斷的新動能。
