據悉，英諾賽科透露，8英寸硅基GaN HEMT器件的出貨量已突破1億。

　　據化合物半導體市場了解，英諾賽科的8英寸晶圓產線自2019年開始大規模生產，并于2021年成為全球首家實現8英寸硅基GaN量產的企業，產能足以支撐全球市場對GaN FETs的強勁需求。2022年，英諾賽科的銷量成功突破1億。

　　英諾賽科首席營銷官馮雷博士表示，這在行業里是第一次，具有里程碑式的意義，也驗證了英諾賽科GaN器件的質量和可靠性。

　　除了銷量出眾之外，英諾賽科在2022年期間也做了幾番大事。一方面，英諾賽科通過在美國、歐洲、韓國、中國臺灣及日本設立市場營銷及客戶支持中心，順利并快速地開展國際業務。另一方面，英諾賽科在國內完成了30億元的D輪融資，8英寸硅基GaN器件的技術研發、產品生產、市場拓展等全面提速。

　　這一年，英諾賽科也在不斷完善產品組合，推出多個新的產品系列，現已覆蓋30-150V、650V。以Bi-GaN為例，一顆Bi-GaN就能替代共漏連接的背靠背兩顆NMOS，實現電池的充電和放電電流的雙向開關，使相同占板面積下的導通電阻降低50%，溫升降低40%，提高手機內部空間利用率。目前，OPPO、realme均已導入英諾賽科的Bi-GaN產品。

　　另外，在電動汽車應用領域，英諾賽科珠海工廠已通過汽車認證，預計將在2024年生產用于汽車應用的8英寸硅基GaN器件。目前，珠海工廠GaN晶圓月產能為4000片，到2025年，珠海和蘇州兩大基地的月產能預計可達70000片左右。

　　目前，國內已有頂級車載激光雷達客戶采用了英諾賽科的GaN器件。除此之外，英諾賽科也已開始聯合國內及韓國的大型Tier 1廠商共同研發GaN車用項目。

　　總的來說，今年，英諾賽科在各方面取得了突破性的進展。接下來，隨著GaN技術逐步打開電動汽車、光伏儲能、智能電網、工業電源等領域的應用空間，英諾賽科將在產能規模、客戶群不斷擴大的基礎上，進一步提升產品銷量和市場占有率。