日前，聯電發布公告稱，董事會通過了資本預算執行方案，預計投資金額達324.17億元新臺幣（約人民幣73.85億元），以供產能建設要求。

據中國臺灣媒體《聯合報》報道，將主要用于建設中國臺灣南科晶圓12A廠P6廠區及新加坡P3廠。聯電指出，南科晶圓12A廠P6廠區與新加坡P3廠共計將投資100億美元，逾新臺幣3000億元，將于3、4年內完成投資。

消息顯示，其中，新加坡P3廠位于白沙晶片園（Pasir Ris Wafer Park），預計2025年量產，以22納米及28納米制程生產。因缺工缺料及機臺交期長的影響，量產時程將較原先規劃的2024年底延遲超過1季時間。