半導體產業網訊：“一次傳質”工藝是采用一次傳質的新熱場，傳質效率提高且基本恒定，降低再結晶影響（避免二次傳質），有效降低了微管或其它關聯晶體缺陷。平衡氣相組分，隔斷微量雜質，調節局部溫度，減少碳包裹等物理性顆粒，在滿足晶體可用的前提下，晶體厚度大幅增加，是解決晶體長厚的核心技術之一。

恒普科技在2021年，推出的“一次傳質”的新工藝，雖然效果突出，但采用筒形多孔石墨用料多，且大孔隙率的多孔石墨需要依賴進口，急劇增加了晶體生長的成本，大大阻礙了"一次傳質“新工藝的推廣，使SiC晶體生長技術無法與國際同步。

為了推動晶體 “長快、長厚，長大”，如何解決多孔石墨的瓶頸是行業的迫切需求。多孔石墨的孔隙率、孔隙大小、空隙分布、強度、最薄可加工尺寸、蝕刻特性等技術參數都極具挑戰，與工藝匹配更是難點。

恒普科技突破性的解決了多孔石墨的技術，加速推動“一次傳質”新工藝的使用，使行業能成本可循環、快速、靈活的與國際技術同步發展，解決關鍵材料“進口”依賴，并達到國際領先水平。

多孔石墨實拍圖：

技術特點

·孔隙率最高可達65%（國際領先）

·空隙分布均勻；

·批次穩定性高；

·強度高，加工性可以達到≤1mm超薄壁圓筒形狀 (國際領先）。

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