12 月 5 日，半導體公司意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業法國Soitec半導體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領域的合作邁入新階段，意法半導體將在未來 18 個月內對 Soitec 的碳化硅襯底技術進行驗證，在未來的 200mm 襯底制造中采用 Soitec 的 SmartSiC™ 技術，助力器件和模塊制造業務的發展，并有望在中期實現量產。

意法半導體汽車和分立器件產品部總裁 Marco Monti 表示：“汽車和工業市場正在加快推進系統和產品電氣化進程，碳化硅晶圓升級到 200mm 將會給我們的汽車和工業客戶帶來巨大好處。隨著產量擴大，提升規模經濟效益是很重要的。作為一家半導體垂直整合制造商（IDM），我們可以在整個制造鏈中最大化地發揮獨特的技術優勢，覆蓋從高質量襯底到大規模的前端和后端生產等環節。提高生產的良率和質量正是我們與 Soitec 開展技術合作的目的。”

Soitec 首席運營官安世鵬（Bernard Aspar）表示：“電動汽車正在顛覆汽車行業的發展。通過將我們專利的 SmartCut™ 工藝與碳化硅半導體相結合，SmartSiC™ 技術將加速碳化硅在電動車市場的應用。Soitec 的 SmartSiC™ 優化襯底與意法半導體行業領先的碳化硅技術、專業知識相結合，將推動汽車芯片制造領域的重大變革，并樹立新的行業標準。”

碳化硅是一種顛覆性的化合物半導體材料，擁有優于傳統硅的特性，面向電動汽車和工業流程等領域的關鍵、高增長的功率應用，能夠提供卓越的性能和能效。它可以實現更高效的電能轉換、更輕量緊湊的設計，并節約整體系統設計成本，助力汽車和工業系統的成功。

從 150mm 晶圓發展到 200mm 晶圓，用于制造集成電路的可用面積幾乎翻倍，而每片晶圓可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍數量的有效芯片，這將促使產能得到大幅提升。

SmartSiC™ 是 Soitec 的專利技術。通過使用 Soitec 專利的 SmartCut™ 技術，可以剝離出高質量的碳化硅供體晶圓薄層，并將其鍵合到低電阻率的多晶硅操作晶圓上，助力改進器件的性能和生產良率。此外，優質的碳化硅供體晶圓可被多次重復利用，進而大幅降低生產的總能耗。

來源：意法半導體