半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：2022年8月10日上午，萬里晴空，惠風和暢。在熱鬧的禮炮與紛飛的金片中，各位股東代表、基建單位代表以及合作方代表蒞臨蘇州納維，共同見證納維科技研發(fā)和生產(chǎn)總部大樓榮耀封頂。

 

 

 

封頂儀式上，鞭炮齊鳴，掌聲雷動，前來參加儀式的有關領導移步至樓頂，拿起象征著八方來財?shù)慕痃P，隨著倒計時開始，金鏟齊開，揚起泥土，為納維科技大樓金鏟封頂。至此，第一階段施工任務順利完成，項目工程建設邁入新的階段。在未來的日子里，全體納維人必將更加努力，助力第三代半導體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

 

 

 

以氮化鎵、碳化硅等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，具有巨大的市場前景，正成為全球半導體市場爭奪的焦點，國內(nèi)外第三代半導體技術、產(chǎn)品、市場、投資均呈現(xiàn)較高增長態(tài)勢。納維科技總部大樓建設項目占地面積超14000 平方米，總建筑面積超 34000 平方米，將建設成為國際前三的氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)與生產(chǎn)基地，預計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片以上。