半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：6月17日，科友半導(dǎo)體宣布，以其自主設(shè)備和技術(shù)研發(fā)的6英寸SiC晶體在厚度上實現(xiàn)突破，達(dá)到32.146mm，業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。此外，其自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應(yīng)）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
據(jù)悉，科友半導(dǎo)體從2018年成立伊始就致力于半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新，目前，他們自主研發(fā)的SiC長晶爐（感應(yīng)）已有99%的部件實現(xiàn)國產(chǎn)替代。
2021年11月，哈爾濱新區(qū)報報道曾指出，科友半導(dǎo)體已完成6英寸第三代半導(dǎo)體襯底制備，正在進(jìn)行8英寸襯底研制。
在產(chǎn)業(yè)化方面，2021年10月，科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期在建的生產(chǎn)車間大樓封頂并進(jìn)行二次結(jié)構(gòu)砌筑。據(jù)悉，一期生產(chǎn)車間大樓建成后將鋪設(shè)100臺套設(shè)備。項目全部達(dá)產(chǎn)后，最終形成年產(chǎn)碳化硅襯底近10萬片，PVT-SiC晶體生長成套設(shè)備年產(chǎn)銷200臺套。
科友半導(dǎo)體成立于2018年，主要攻關(guān)第三代半導(dǎo)體材料和裝備，在相繼突破4英寸和6英寸SiC襯底和裝備技術(shù)的基礎(chǔ)上，不斷向產(chǎn)業(yè)化方向邁進(jìn)，目前已形成從材料到襯底和裝備的自主知識產(chǎn)權(quán)體系，具備規(guī)模化生產(chǎn)條件。
今年5月20日，科友半導(dǎo)體發(fā)文稱，隨著2020年開工的科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目一期工程逐漸收尾完工，以科友自有技術(shù)為依托的年產(chǎn)10萬片第三代半導(dǎo)體襯底材料生產(chǎn)線將于今年8月投產(chǎn)。
科友半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)項目由哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司和哈爾濱新區(qū)共同出資建設(shè)，項目占地4.5萬平方米，總投資10億元，將打造包括技術(shù)開發(fā)、裝備設(shè)計、襯底制造等在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈的科技成果轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用研究集聚區(qū)；以哈爾濱為總部，打造國家級第三代半導(dǎo)體裝備與材料創(chuàng)新中心，通過國際合作、創(chuàng)新引智，改善產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)發(fā)展半導(dǎo)體核心材料產(chǎn)業(yè)。
