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Soitec 發布首款 200mm SmartSiC? 碳化硅優化襯底

日期:2022-05-06 閱讀:552
核心提示:本次在碳化硅襯底系列中增加 200mm SmartSiC? 晶圓,進一步加強了我們產品組合的差異化,并在產品質量、可靠性、體積和能效等多方面滿足客戶多樣化的需求。
  半導體產業網訊:2022 年 5 月 6日,設計和生產創新性半導體材料的全球領軍企業Soitec 發布了其首款 200mm 碳化硅 SmartSiC ™晶圓。這標志著 Soitec 公司的碳化硅產品組合已拓展至 150mm 以上,其 SmartSiC™  晶圓的研發水準再創新高,可滿足汽車市場不斷增長的需求。
  據了解,法國 Soitec 半導體公司是設計和生產創新性半導體材料的全球領先企業,以其獨特的技術和半導體領域的專長服務于電子和能源市場。Soitec在全球擁有約 3500 項專利,在不斷創新的基礎上滿足客戶對高性能、低能耗以及低成本的需求。Soitec 在歐洲、美國和亞洲設有制造工廠、研發中心和辦事處。
 
  首批 200mm SmartSiC™襯底誕生于 Soitec 與 CEA-Leti 合作的襯底創新中心的先進試驗線,該中心位于格勒諾布爾。該批 200mm SmartSiC 襯底將會在關鍵客戶中進行首輪驗證,展示其質量及性能。
 
  Soitec 于 2022 年 3 月在法國貝寧啟動了新晶圓廠貝寧 4 號 (Bernin 4) 的建設,用于生產 150mm 和 200mm 的 SmartSiC™晶圓,貝寧 4 號預計將于 2023 年下半年投入運營。
 
  Soitec 獨特的 SmartSiC™ 技術能夠將極薄的高質量碳化硅層鍵合到電阻率極低的多晶碳化硅晶圓上,從而顯著提高電力電子設備的性能與電動汽車的能源效率。
 
  Soitec 首席技術官 Christophe Maleville 表示:“Soitec 的 SmartSiC™襯底將在新能源電動汽車中起到關鍵性作用。憑借獨特的先進技術,我們致力于研發尖端的優化襯底,助力汽車和工業市場的電力電子設備開辟新前景。
 
  本次在碳化硅襯底系列中增加 200mm SmartSiC™ 晶圓,進一步加強了我們產品組合的差異化,并在產品質量、可靠性、體積和能效等多方面滿足客戶多樣化的需求。200mm SmartSiC™ 晶圓是我們 SmartSiC™技術開發和部署的一座重要里程碑,它鞏固了 Soitec 在行業內的技術領先地位,并強化了我們不斷創新、推出新一代晶圓技術的能力。”
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