半導體產業網獲悉：4月9日，金博股份發布公告稱，基于公司在半導體領域用高純碳基復合材料的研發應用基礎，公司與北京天科合達半導體股份有限公司（下稱“天科合達”）于4月8日達成戰略合作意向并簽署了《戰略合作協議》，合作期限自協議簽訂之日起5年。雙方出于長遠戰略上的考慮，決定共同攜手，就高純熱場材料、高純保溫材料、高純粉體材料在第三代半導體領域的開發和應用，達成深度的戰略合作伙伴關系。
天科合達官網簡介顯示，其于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立，目前注冊資本為21582萬元，是一家專業從事第三代半導體碳化硅（SiC）晶片研發、生產和銷售的高新技術企業，為全球SiC晶片的主要生產商之一。天科合達擁有一個研發中心和三家全資子公司，產業涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備和碳化硅單晶襯底制備。
協議顯示，隨著第三代半導體行業快速發展，為了加強國內上下游的緊密聯系，雙方出于長遠戰略上的考慮，決定共同攜手，就高純熱場材料、高純保溫材料、高純粉體材料在第三代半導體領域的開發和應用，達成深度的戰略合作伙伴關系。
具體來看，雙方基于在各自材料及應用領域的技術優勢，深入開展技術交流與聯合研制，共同研發滿足第三代半導體領域應用的熱場材料、保溫材料與粉體材料，以滿足天科合達對相關材料的需求。金博股份將按照天科合達提出的技術要求，深入研究開發滿足天科合達要求的高性價比高純熱場、高純保溫、高純粉體材料與產品。
同時，天科合達給予金博股份第三代半導體用高純熱場、保溫、粉體材料及產品開發方向、技術要求方面的指導并配合公司進行產品測試與評估，通過應用效果反饋加快公司產品開發與品質改善進度。雙方提供新開發相關產品的其他相關技術支持，助力雙方在第三代半導體領域相關產品的合作開發。
金博股份表示，目前階段公司的產品主要應用于光伏行業晶硅制造熱場系統。本次戰略框架協議的簽署，有利于公司產品在第三代半導體領域的推廣和應用。
