國家知識產權局官網消息，4月5日華為技術有限公司公開了一項芯片相關專利。該項名為"一種芯片堆疊封裝及終端設備"的專利，涉及半導體技術領域，其能夠在保證供電需求的同時，解決因采用硅通孔技術而導致的成本高的問題。

 

圖片來源：國家知識產權局

專利文件圖顯示，該芯片堆疊封裝 (01) 包括：

 

設置于第一走線結構 (10) 和第二走線結構 (20) 之間的第一芯片 (101) 和第二芯片 (102)；

 

所述第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 面向所述第二芯片 (102) 的有源面 (S2)；

 

第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 包括第一交疊區域 (A1) 和第一非交疊區域 (C1)，第二芯片 (102) 的有源面 (S2) 包括第二交疊區域 (A2) 和第二非交疊區域 (C2)；

 

第一交疊區域 (A1) 與第二交疊區域 (A2) 交疊，第一交疊區域 (A1) 和第二交疊區域 (A2) 連接；

 

第一非交疊區域 (C1) 與第二走線結構 (20) 連接；

 

第二非交疊區域 (C2) 與第一走線結構 (10) 連接。

 

在今年3月28日召開的華為2021年年度報告發布會上，華為首次公開確認芯片堆疊技術。

 

當時，華為輪值董事長郭平回答了關于芯片問題，他表示，“解決芯片問題是一個復雜的漫長過程，需要有耐心，未來我們的芯片方案可能采用多核結構，以提升芯片性能。”他強調，華為會采取系統性的突破，來化解關鍵零部件難以獲取的困境。所謂系統性突破，即“華為計劃用面積、堆疊換性能，使工藝不那么先進的產品也能具有競爭力”。