3月9日晚間，聞泰科技發布公告稱，全資子公司NexperiaB.V.（“安世半導體”）于2021年設立了中國研究院，專注高壓功率器件、模擬IC等新產品研發方向。目前公司自主設計研發的絕緣柵雙極晶體管（InsulatedGateBipolarTransistor，以下簡稱“IGBT”）系列產品已流片成功，取得階段性重大進展，各項參數均達到設計要求。
聞泰科技表示，IGBT流片成功后，仍需經過客戶驗證，后續量產計劃具有不確定性。
圖片來源：聞泰科技公告截圖
半導體業務深耕 新品逐步進入收貨期
公開資料顯示，聞泰科技是一家全球領先的智能終端制造和半導體企業，自 2019年以來陸續收購安世半導體和Newport Wafer Fab(NWF)，其半導體業務涵蓋了芯片設計、晶圓制造、半導體封裝測試的產業鏈拓展。
據悉，安世半導體是全球領先的車規級功率廠商，其前身為恩智浦(NXP)集團標準產品部門，其擁有60多年半導體行業經驗。安世半導體在主要的車規級功率、邏輯和模擬細分品類占據前排位置，細分到產品上則是在小信號二極管和晶體管、ESD 保護器件、Power MOS 汽車領域、邏輯器件、小信號MOSFET上占據優勢。
自2021年起，聞泰在半導體業務上動作頻頻，一方面積極擴張規模，一方面加強技術研發。
2021年7月6日，安世半導體完成了對英國最大的晶圓Newport Wafer Fab(NWF)的100%收購，有效提升車規級IGBT、MOSFET、Analog和化合物半導體等產品領域的IDM能力。同日，安世半導體成立獨立半導體設備公司ITEC，以滿足對半導體設備的井噴式需求。隨后不久，便又宣布安世馬來西亞擴產。
研發層面，安世開設新的全球研發中心并擴大現有研發機構；前端晶圓制造廠實行全新技術的投資及投產；后端封測加強先進技術的能力。
規模效應和技術支撐的作用下，這兩年安世半導體許多新品如 MOSFET、IGBT、PMIC 和第三代半導體等逐步進入收貨期。目前，安世半導體正在加速布局第三代半導體產品，成為高效功率氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）的可靠供應商。
氮化鎵方面，安世半導體已推出系列GaNFET產品，產品通過車規級認證并應用于新能源汽車領域，是全球少數可提供車規級氮化鎵器件的廠商。
碳化硅方面，2021年11月，安世半導體推出了工業級650V、10ASiC肖特基二極管，漢堡晶圓廠已部署AixtronMOCVD設備采用G5WWC生產技術進行SiC外延批量生產，Newport晶圓廠也擁有SiC生產能力并已安裝了化合物半導體聯盟的SiC設備正在試產。
