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A*STAR微電子研究所和SOITEC合作開發200毫米低成本碳化硅半導體器件

日期:2022-01-17 閱讀:449
核心提示:1月10日,新加坡科學、技術和研究機構(A*STAR)的微電子研究所(IME)和法國半導體材料公司Soitec宣布開展研究合作,開發下一代
1月10日,新加坡科學、技術和研究機構(A*STAR)的微電子研究所(IME)和法國半導體材料公司Soitec宣布開展研究合作,開發下一代碳化硅(SiC)半導體器件,為電動汽車和先進高壓電子設備提供動力。雙方將利用Soitec的專有技術,如Smart Cut?和IME的試驗生產線來制造直徑為200 mm的SiC半導體基板。
(圖片來源:Soitec)
 
此次聯合研究將有助于開發一個整體的SiC生態系統,并提高新加坡和巴黎的半導體制造能力。該研究合作計劃于2024年年中完成,旨在實現:
 
開發用于Smart Cut? SiC基板SiC外延和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)制造工藝,以生產更高質量的微芯片晶體管,并在制造過程中降低不合格率的同時提高產量;
 
為在Smart Cut? SiC基板上制造SiC功率MOSFET器件建立基準,并展示該工藝相較于傳統體基板的優勢。
 
Soitec首席技術官兼高級執行副總裁Christophe Maleville表示:“此次合作我們將有機會展示SmartSiC基板可擴展到200mm的性能,并為開發先進的外延解決方案鋪平道路,以生產具有節能特性的更高質量的SiC晶圓。新加坡的半導體生態系統將受益于此,從而驗證合理生產的SiC晶圓的卓越能效。”
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