碳化硅（Silicon Carbide, 縮寫為SiC）是行業內公認的下一代電驅動產品的核心技術之一。憑借碳化硅材料本身高效、高頻、高溫的特性，碳化硅技術能夠使電驅動系統效率更高，損耗更低，重量更輕，結構更緊湊。

 

 

上汽大眾驅動系統部門在2021年3月正式立項，開發一款MEB平臺的碳化硅“三合一”電橋產品。項目組在完成碳化硅材料和功率模塊調研后，決定與國內領先的碳化硅功率半導體模塊供應商“臻驅科技”合作，加快開發進程。6月底，項目組完成了碳化硅電控部分的產品設計和開發。7-11月，項目組在公司內部臺架上獨立完成了碳化硅 “三合一”電橋的集成試制和測試。12月，經過數月的測試、迭代和驗證，該產品亮相“上汽大眾預研技術展示日”。

 

 

根據臺架測試結果，這一款大眾品牌首套碳化硅電橋電驅產品不僅匹配MEB平臺各方面的嚴格技術需求，而且效率對比目前電驅產品有了全方面提升。

 

其中，碳化硅電控的最高效率達到99.9%，未來搭載碳化硅技術的ID.4 X車型可以提升4.5%續航里程。這款碳化硅電橋在能耗方面每百公里節省了0.645 度電，而在EMC方面的測試結果也不遜色，很多分項成績甚至實現了反超。