產業天時，碳化硅襯底處于國產化前夜。碳化硅電力電子器件性能顯著優于硅基器件，可賦能新能源汽車及光伏發電領域，實現提效率、壓體積、減重量全方位提升。IHSMarkit預計碳化硅市場規模2027年可達100億美元，年化復合增長38.9%。碳化硅上游襯底環節工藝壁壘高、產品良率低，占器件價值量接近50%。合肥露笑半導體已具備6英寸導電型碳化硅襯底量產能力，年產能2.5萬片，2022年6月年產能有望達10萬片。

 

合肥地利，聯手地方國資布局碳化硅襯底。合肥露笑半導體坐落合肥長豐縣，公司聯手合肥地方國資，擬分三期投資合計100億元，分階段實現6英寸及8英寸導電型碳化硅襯底晶片及外延晶片大規模量產。合肥露笑半導體成立以來，公司已先后注資32,000萬元。公司于2021年11月24日發布非公開發行股票預案，擬募資29.4億元投入碳化硅項目。

 

技術人和，股權激勵鎖定行業專家。合肥露笑半導體首席科學家陳之戰教授曾長期任職于中科院上海硅酸鹽所，研究碳化硅晶體生長相關技術工藝23年，發表論文超100篇，授權專利50余項。公司員工持股計劃已授予陳之戰100萬股，分三期按業績考核解鎖。