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無錫誕生全球最薄半導體GaN晶體,厚度突破1厘米!

日期:2021-12-16 閱讀:477
核心提示:12 月 15 日,吳越半導體 GaN 晶體出片儀式在無錫高新區(qū)舉行。據(jù)無錫高新區(qū)消息,儀式上,吳越半導體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突
 12 月 15 日,吳越半導體 GaN 晶體出片儀式在無錫高新區(qū)舉行。
 
據(jù)無錫高新區(qū)消息,儀式上,吳越半導體展出了全球范圍內(nèi)首次厚度突破 1 厘米的氮化鎵晶體,并與君聯(lián)資本、新投集團簽署 A 輪融資戰(zhàn)略框架協(xié)議。
 
 
 
圖片來源:無錫高新區(qū)在線
 
無錫吳越半導體有限公司成立于 2019 年,是無錫先導集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)園首個落戶的項目,公司專注于氮化鎵自支撐襯底的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售。
 
2020 年 2 月,吳越半導體、先導集團與高新區(qū)管委會簽訂合作協(xié)議,在無錫高新區(qū)實施 2-6 英寸氮化鎵自支撐單晶襯底產(chǎn)業(yè)化項目,項目總投資37億,主要進行2-6英寸氮化鎵自支撐單晶襯底及GaN-On-GaN功率芯片、射頻芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。項目建成投產(chǎn)后,可填補無錫市在第三代化合物半導體氮化鎵原材料領(lǐng)域的空白。
 
全部建成投產(chǎn)后,能夠打通從材料到芯片到器件的整個產(chǎn)業(yè)鏈,創(chuàng)造年30億元的銷售額。

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