近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

一代材料、一代器件、一代裝備，一代應(yīng)用，碳化硅目前可達(dá)到萬伏千安等級（全球能源互聯(lián)網(wǎng)必需的超特高壓柔性直流輸電）；氮化鎵目前能實現(xiàn)高頻、高效、高溫、大功率（5G通信要求頻率覆蓋到40GHz以上，輸出功率幾到幾百瓦）；以氮化鎵為代表的氮化物是唯一覆蓋可見光到紫外波長范圍的半導(dǎo)體發(fā)光材料體系。期間，“氮化鎵功率器件“專場上，南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院研究副教授、副研究員汪青帶來了題為”GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進(jìn)展“的主題報告，報告結(jié)合國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)發(fā)展及研究背景，分享了寬禁帶半導(dǎo)體器件研究進(jìn)展。

 

從工藝器件的角度，GaN電力電子產(chǎn)品技術(shù)方面，6英寸產(chǎn)線工藝已成熟，Infineon正在投建8英寸產(chǎn)線；2020年，國際上有超過10家公司量產(chǎn)GaN電力電子器件擊穿電壓集中在<300V 和650V。GaN 射頻器件/模塊 產(chǎn)品線持續(xù)擴(kuò)充完善，各類技術(shù)并行發(fā)展。SiC基GaN器件是射頻市場主流產(chǎn)品和解決方案。Si基GaN射頻器件目前非主流方案，但因成本優(yōu)勢受到廣泛關(guān)注，很多企業(yè)正在布局。

 

從產(chǎn)業(yè)發(fā)展的角度，當(dāng)前，以GaN和SiC為代表的國際第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，受政策、資本、技術(shù)、市場的“四輪驅(qū)動”已經(jīng)實現(xiàn)了從研發(fā)到規(guī)模性量產(chǎn)的成功跨越，進(jìn)入了產(chǎn)業(yè)化快速發(fā)展階段。隨著全球貿(mào)易摩擦持續(xù)，和以美國為主導(dǎo)的逆全球化浪潮加劇，以及新冠疫情的沖擊，世界各國以前所未有的力度扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，爭相搶跑第三代半導(dǎo)體。國際龍頭企業(yè)大力完善產(chǎn)業(yè)布局，強(qiáng)化競爭優(yōu)勢；企業(yè)上下游深化戰(zhàn)略合作，擴(kuò)大自身優(yōu)勢，搶占市場份額。

 

第三代半導(dǎo)體是“新基建”的關(guān)鍵核心器件，其中，SiC 功率器件是特高壓輸電、軌道交通和新能源汽車的核心器件。GaN 射頻器件是5G基站核心器件之一。實現(xiàn)“碳達(dá)峰、碳中和”關(guān)鍵在于加快推進(jìn)能源開發(fā)清潔替代和能源消費電能替代，第三代半導(dǎo)體助力“碳達(dá)峰、碳中和”目標(biāo)的實現(xiàn)。

 

報告中還詳細(xì)介紹了當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體最新研究進(jìn)展與成果，包括GaN器件共性技術(shù)研究、基于GaN功率器件的電源系統(tǒng)、基于GaN射頻器件的PA設(shè)計、GaN氣體傳感器、Ga2O3 功率器件等。

深港微電子學(xué)院2019年獲批教育部未來通信集成電路工程研究中心。該中心針對適用于當(dāng)前5G和未來通信應(yīng)用集成電路關(guān)鍵共性技術(shù)的下一代通信系統(tǒng)展開研究。2020年獲批廣東省三維集成工程研究中心。

 

（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）