9月13-14日，“2021中國（南京）功率與射頻半導(dǎo)體技術(shù)市場應(yīng)用峰會（CASICON 2021）”在南京召開。本屆峰會由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主辦，并得到了南京大學(xué)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟的指導(dǎo)。
會上，湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理戴小平做了題為“SiC模塊封裝技術(shù)探討“的主題報告。他表示，面對降低能耗、延長續(xù)航里程的要求，電動汽車迫切需要進(jìn)一步提高電驅(qū)動系統(tǒng)的功率密度、能量效率和可靠性；SiC 功率器件技術(shù)可以提高電驅(qū)動系統(tǒng)功率密度和整車能效；銀燒結(jié)技術(shù)、新材料和先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠最大程度的發(fā)揮SiC器件的性能。報告還詳細(xì)介紹了銀燒結(jié)雙面散熱技術(shù)、DTS、絕緣金屬基板（Insulated metal baseplate ，IMB ）封裝技術(shù)優(yōu)缺點。
嘉賓簡介
戴小平，教授級高級工程師，湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理。一直從事IGBT、SiC、IGCT等功率半導(dǎo)體器件的研究、制造與管理，先后主持多項國家重大科技專項課題，多項科研成果獲得省部級獎勵。申請專利70余項，發(fā)表論文30余篇。
