2月26日，格力電器（000651）公開(kāi)了“碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件”和“一種半導(dǎo)體器件”兩項(xiàng)實(shí)用新型專利。
專利一：碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件
該項(xiàng)實(shí)用新型名稱為“碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件”，專利申請(qǐng)人為：珠海零邊界集成電路有限公司 , 珠海格力電器股份有限公司，公開(kāi)號(hào)為CN212625590U，發(fā)明人：林苡任、史波、陳道坤、曾丹。
據(jù)了解，電力電子技術(shù)已成為現(xiàn)代工業(yè)社會(huì)的重要支撐技術(shù)之一， 其中半導(dǎo)體技術(shù)， 尤其是碳化硅半導(dǎo)體器件， 更是被廣泛應(yīng)用于工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、交通運(yùn)輸、 國(guó)防、航空航天、石油冶煉、 核工業(yè)及能源工業(yè)的各個(gè)領(lǐng)域。隨著工業(yè)技術(shù)的發(fā)展， 提高效率成為了半導(dǎo)體技術(shù)重要的發(fā)展方向。提高效率， 意味著在獲得同樣的輸出功率、 滿足負(fù)載要求的情況下， 損耗更低，發(fā)熱更少， 散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)壓力減輕。從長(zhǎng)時(shí)能量消耗看， 可以降低電能的消耗， 達(dá)到節(jié)能減排的效果。
目前， 以碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件為典型的碳化硅半導(dǎo)體器件在提高效率方面的措施是降低正向工作電壓， 而現(xiàn)有降低工作電壓的主要方法是提高外延層 (第二電子型半導(dǎo)體層)摻雜濃度和減薄外延層(第二電子型半導(dǎo)體層)厚度。然而， 提高外延層(第二電子型半導(dǎo)體層)摻雜濃度和減薄外延層(第二電子型半導(dǎo)體層)厚度雖然可以快速、有效地降低正向工作電壓， 但是也會(huì)降低擊穿電壓， 對(duì)碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件的反向工作特性產(chǎn)生不利影響， 影響了碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件工作效率的進(jìn)一步提高。
本項(xiàng)實(shí)用新型涉及一種碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件，其包括第一電子型半導(dǎo)體層、第二電子型半導(dǎo)體層、第一空穴型半導(dǎo)體層、第二空穴型半導(dǎo)體層、第一陽(yáng)極結(jié)構(gòu)、第二陽(yáng)極結(jié)構(gòu)和陰電極層。其中，第一陽(yáng)極結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二電子型半導(dǎo)體上，第二陽(yáng)極結(jié)構(gòu)設(shè)置在第二空穴型半導(dǎo)體層上，第一電子型半導(dǎo)體層的摻雜濃度大于第二電子型半導(dǎo)體層的摻雜濃度，第一空穴型半導(dǎo)體層的摻雜濃度小于第二空穴型半導(dǎo)體層的摻雜濃度。
該碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件可以解決現(xiàn)有碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件難以在降低正向工作電壓的同時(shí)提高擊穿電壓的問(wèn)題，進(jìn)而降低碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件正向?qū)ǖ膿p耗，提高碳化硅肖特基半導(dǎo)體器件的工作效率。
專利二：一種半導(dǎo)體器件
該項(xiàng)實(shí)用新型名稱為“一種半導(dǎo)體器件”，申請(qǐng)（專利權(quán)）人為：珠海格力新元電子有限公司 , 珠海格力電器股份有限公司，發(fā)明人：趙承賢、李鑫、高紅梅 鄭義、劉浩、盤(pán)伶。
專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件，其中，結(jié)構(gòu)主要包括引線框架、引線框架外側(cè)包裹的塑料殼體、引線框架外壁連接的引腳、引線框架內(nèi)腔中安裝有二者相互電性連接的芯片和二極管FRD；所述引線框架底部密封熱壓合有導(dǎo)熱絕緣銅基樹(shù)脂熱片，導(dǎo)熱絕緣銅基樹(shù)脂熱片為銅層和導(dǎo)熱絕緣層疊加連接；通過(guò)導(dǎo)熱絕緣銅基樹(shù)脂熱片同時(shí)提供密封和導(dǎo)熱，從而將引線框架內(nèi)腔產(chǎn)生的熱量直接散熱出。
本設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件在制作過(guò)程中，工藝也方便，采用熱壓方式，提供高導(dǎo)熱的散熱路徑從芯片到應(yīng)用端的散熱器，而不需要額外的絕緣墊片來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度與電氣絕緣。
