近日，由國家半導體照明工程研發及產業聯盟（CSA）與第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（CASA）主辦，南方科技大學微電子學院與北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司共同承辦的第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA 2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS 2020）在深圳會展中心召開。
期間，由廣東芯聚能半導體有限公司，中電化合物半導體有限公司，英諾賽科(珠海)科技有限公司共同協辦的功率電子器件及封裝技術分會上，深圳第三代半導體研究院研究員楊安麗分享了抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設計的研究成果。
“雙極型退化”是目前影響4H-SiC雙極型器件穩定工作的重要問題。報告介紹“雙極型退化”的起源及相應的解決方案。以萬伏級的超高壓PiN二極管為例，詳細介紹在襯底與外延層之間如何設計合適的“復合提高層”來抑制雙極型退化。研究了器件工作電流密度和“復合提高層”少子壽命對設計“復合提高層”的影響。結果表明，在一定的工作電流密度下，“復合提高層”少子壽命越短，所需“復合提高層”厚度越薄。并通過實驗結果，比較了N摻雜、N+B摻雜和N+V摻雜的“復合提高層”對PiN二極管“雙極型退化”的影響。
楊安麗歷任日本電力中央研究所（CRIEPI）特任研究員，日本國立材料研究機構（NIMS）SPring-8 BL15XU博士后研究員。主要研究方向圍繞寬禁帶半導體材料生長表征及應用。曾參與了中國國家863項目、日本科學振興機構（JSTA:基于元素戰略的智能材料創新）及日本科學技術廳和日本新能源及產業技術綜合開發機構(NEDO：下一代電力電子/SiC功率器件)的研究項目，在APL、JAP、PRB等國際半導體領域著名期刊共發表SCI學術論文40余篇，其中第一作者論文16篇，申請國家發明專利3項。日本國立材料研究機構（NIMS）大會邀請報告一次，SiC領域國際頂級會議（ICSCRM 2017及ECSCRM2018）口頭報告2次，并被大會選為亮點。
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