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![]() BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點,具備出色的開關速度和更低的開關損耗,TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子,繞過柵極控制回路上的發射極引線電感,從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。主要規格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5國產替代,AIKW50N65RF5國產替代),BGH50N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國產替代),BGH50N65ZF1(IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5國產替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5國產替代),BGH75N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路,單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國產替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5國產替代),BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管(IKW40N120H3,IKW40N120CS6,IKW40N120CS7國產替代),BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路,T型三電平橫管 (IKQ75N120CH3國產替代,IKQ75N120CS6國... [詳細介紹] |