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超寬禁帶半導體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究Modeling of ultrawide Bandgap Semiconductor crystal growth for Gallium oxide and Diamond付昊蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經理Henry FUVice General Manager of SuZhou STR Software Technology Co., Ltd.

金剛石深紫外光電探測器研究Deep ultraviolet photodetectors based on diamond楊珣鄭州大學副教授YANG XunProfessor of Zhengzhou University

MPCVD法金剛石同質外延生長及MOS器件技術Homogeneous epitaxial diamond growth by MPCVD and its MOS device technology張金風西安電子科技大學教授ZHANG JinfengProfessor of Xidian University

金剛石微波功率器件進展Progress in Diamond Microwave Power Devices馮志紅中國電科首席科學家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務副主任FENG ZhihongHebei Semiconductor Research lnstitute

利用AlN傳導層在GaN襯底上外延生長金剛石薄膜及其熱傳輸特性Thermal dissipation from GaN to diamond with AlN conduction layer桑立雯日本國立物質材料研究所獨立研究員SANG LiwenIndependent Scientist of National Institute for Materials Science (NIMS), Japan

《基于MPCVD法異質外延生長金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點實驗室，南京大學電子科學與工程學院，廈門大學

《大面積單晶金剛石及場效應晶體管研究》作者：王艷豐，王瑋，常曉慧，張曉凡，朱天飛，劉璋成，陳根強，王宏興單位：西安交通大學教育部物理電子器件重點實驗室，西安交通大學電子與信息學部寬禁帶半導體與量子器件研究所

《金剛石材料制備加工和應用研究》作者：王希瑋，彭燕，徐明升，胡小波，徐現(xiàn)剛單位：山東大學新一代半導體材料研究院

瑞士Microdiamant研發(fā)部門負責人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術的主題報告，報告表示，碳化硅業(yè)務的主要目標是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產品品質優(yōu)劣以及關鍵的流程步驟等內容。

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

西安交通大學教授王宏興做了關于微機電系統(tǒng)單晶金剛石微結構制備的報告。

山東大學/濟南中烏新材料有限公司王希瑋做了高溫高壓單晶實驗室生長金剛石技術的介紹，分享了單晶金剛石生產技術方面的工作及成果。

鄭州大學物理工程學院院長、教授單崇新介紹了高質量金剛石的CVD生長。金剛石是自然界產生的最堅硬的一種材料，因為它極高的硬度，一直被當做是打磨的工具，切割的工具等，在不同的方面都有應用，日常生活以及工業(yè)生產中都能用到金剛石。除了高硬度以外，金剛石還有很多其他獨特的特點，很適合當做半導體材料，比如非常高的帶隙、電壓、非常高的熱傳導性等，這些特點使得金剛石一直被認為是重要的，也是非常有潛力的下一代半導體器件的原料。把金剛石材料轉變成金剛石器件還有很長的路要走，也需要很多高品質的材料，這是非常基本的一步。

河北半導體研究所專用集成電路國家級重點實驗室高級工程師王晶晶金剛石場效應晶體管的射頻功率性能評價的報告，結合相關的試驗數(shù)據(jù)，王晶晶介紹了P型摻雜、晶體管測試、以及利用MPCVD設備來進行金剛石薄膜的沉積，利用輕等離子體處理的方法實現(xiàn)它的P型構造，基于金剛石等材料來制作金剛石射頻器件等研究成果。