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  • 石芝銘：寬禁帶III族
    《寬禁帶III族氮化物中點(diǎn)缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械
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    limit2022-01-05 11:09
  • 【視頻報(bào)告 2018】南
    南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。
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    limit2021-04-29 12:28
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司副總裁MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平帶來(lái)了《氮化物深紫外LED生產(chǎn)型MOCVD機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)及外延生長(zhǎng)的挑
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    limit2021-04-29 12:23
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    西安電子科技大學(xué)趙子越博士分享了《基于氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)的常關(guān)型氟離子處理的AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管（fT/fmax=61GHz/130GHz）》主題報(bào)告。他介紹說(shuō)，在SiC襯底上實(shí)現(xiàn)了高性能的柵長(zhǎng)為0.1um的常關(guān)型薄勢(shì)壘AlGaN/GaN高電子遷移率晶體管器件，采用氟離子注入技術(shù)并結(jié)合氮化鈦源極擴(kuò)展技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高性能的常關(guān)型器件，其閾值電壓達(dá)到0.6V，飽和電流達(dá)到845mA/mm@Vgs=3V ，峰值跨導(dǎo)達(dá)到412mS/mm，電流截止頻率達(dá)到61GHz，最大
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】敖
    日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】蘇
    蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確
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    limit2021-04-29 12:21
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體研究所所長(zhǎng)助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報(bào)告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點(diǎn)。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍(lán)寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】臺(tái)
    【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案
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    limit2021-04-29 12:20
  • 【視頻報(bào)告 2018】西
    GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字
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    limit2021-04-29 12:18
  • 【視頻報(bào)告 2018】中
    中科院半導(dǎo)體所張翔帶來(lái)了關(guān)于石墨烯提升氮化鋁核化以及高質(zhì)量氮化鋁薄膜外延層的報(bào)告，分享了該領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài)以及研究成果。
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    limit2021-04-29 12:04
  • 【視頻報(bào)告 2019】河
    河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種
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    limit2021-04-29 10:46
  • 【視頻報(bào)告 2019】Ult
    上海大學(xué)教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質(zhì)量氮化鋁模板材料表征分析。報(bào)告中介紹了使用Ult
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    limit2021-04-29 10:41
  • 【視頻報(bào)告 2019】蘇
    報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》
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    limit2021-04-29 10:26
  • 【視頻報(bào)告】英諾賽科
    英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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    limit2021-04-26 15:05
  • 【視頻報(bào)告】俄羅斯ST
    碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia
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    limit2020-03-10 15:45
  • 【視頻報(bào)告】北京大學(xué)
    北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對(duì)III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
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    limit2020-02-02 16:27
  • 【視頻】西安交通大學(xué)
    西安交通大學(xué)副教授李強(qiáng)做了題為射頻濺射技術(shù)制備h-BN薄膜的制作與應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了濺射制備的hBN膜,包括工藝條件的選擇，hBN的性質(zhì)，以及hBN膜的應(yīng)用，包括電阻開關(guān)行為等內(nèi)容。 報(bào)告指出，所制備的hBN膜可以在大面積上獲得良好的光滑度。由BN和BAlN薄膜組成的DBR可以在UVA波段實(shí)現(xiàn)高反射。首先在Ag / hBN / Al結(jié)構(gòu)中觀察到通過(guò)濺射制備的hBN膜的RS行為。摻鋁氮化硼薄膜的RS窗口明顯增加。
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    limit2020-02-01 16:25
  • 【視頻報(bào)告】日本國(guó)立
    同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray
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    limit2020-01-01 15:45
  • 英諾賽科科技有限公司
    英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩
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    limit2019-12-31 12:38
  • 英諾賽科研發(fā)中心副總
    英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告
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    limit2019-12-30 13:03
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