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《全氮化鎵集成器件與電路的發(fā)展與挑戰(zhàn)》作者：孫瑞澤，劉超，陳萬(wàn)軍，張波單位：電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，電子科技大學(xué)四川省功率半導(dǎo)體技術(shù)工程研究中心

《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品v，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

《高靈敏石墨烯氮化鎵探測(cè)器》作者：胡安琪, 郭霞單位：北京郵電大學(xué)

《BiVO4和WO3異質(zhì)結(jié)增強(qiáng)GaN在光解水中的性能》作者：席鑫，陳志忠單位：北京大學(xué)

《基于氮化鎵金屬-絕緣層-半導(dǎo)體高電子遷移率晶體管的單片集成DFF-NAND與DFF-NOR電路》作者：朱昱豪，崔苗，李昂，方志成，文輝清，劉雯單位：西交利物浦大學(xué)智能工程學(xué)院

《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機(jī)理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室

《氮化鎵高功率太赫茲源》作者：馮志紅單位：中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所

《GaN基大功率藍(lán)光激光器》作者：梁鋒，趙德剛單位：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

《大功率氮化鎵激光器研究進(jìn)展》作者：劉建平單位：中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所

《氮化鎵基Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移及紅光芯片進(jìn)展》作者：龔政單位：廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在《多功能化氮化鎵基高分辨率Micro-LED顯示器》研究報(bào)告。

日本德島大學(xué)教授、西安電子科技大學(xué)特聘教授敖金平在《用于微波無(wú)線電能傳輸?shù)牡壣漕l肖特基二極管》報(bào)告中介紹到：無(wú)線電能傳輸技術(shù)是非常有前景的新技術(shù)，可以用在各種各樣的無(wú)線系統(tǒng)，比如無(wú)線充電、能量收割、無(wú)處不在的電源和建筑物內(nèi)的電源供應(yīng)等。在微波無(wú)線電能傳輸系統(tǒng)里，通常采用天線整流電路（rectenna）來(lái)完成RF到DC的能量轉(zhuǎn)換。天線整流電路廣泛地用到肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）。但是，目前市場(chǎng)上很難找到能在天

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司李元分享了《以系統(tǒng)方法實(shí)現(xiàn)氮化鎵射頻功率器件的高可靠性：我們的成就及新進(jìn)展》主題報(bào)告。氮化鎵射頻功率器件因其優(yōu)良的性能而在基礎(chǔ)工業(yè)領(lǐng)域（如5G通訊基站）具有廣泛的應(yīng)用前景。基礎(chǔ)工業(yè)應(yīng)用要求的超長(zhǎng)連續(xù)工作壽命及可能的外部惡劣工作環(huán)境，對(duì)器件的可靠性提出了更高的要求。能訊高能半導(dǎo)體通過(guò)一個(gè)系統(tǒng)工程，從產(chǎn)品設(shè)計(jì)，工藝開(kāi)發(fā)，器件生產(chǎn)，到最終篩選測(cè)試，每一個(gè)環(huán)節(jié)都按嚴(yán)格的程序進(jìn)行，確

【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。西安交通大學(xué)田震寰博士帶來(lái)了激光打孔和雙襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制備金字

報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

同步輻射X射線衍射法實(shí)現(xiàn)氮化鎵襯底及同質(zhì)外延薄膜晶格面傾斜可視化 Synchrotron x-ray diffraction-based visualization of lattice-plane tilting of a GaN substrate and epitaxial film坂田修身日本國(guó)立材料研究所SPring-8 BL15XU線站站長(zhǎng)，東京工業(yè)大學(xué)兼職教授 Osami SAKATAStation Director of the Synchrotron X-ray Station at SPring-8 and the Group Leaders of the Synchrotron X-ray group and the Synchrotron X-ray

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩