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面向SiC功率器件的裝備與工藝解決方案NAURA Solutions for SiC Power Devices張軼銘北京北方華創微電子裝備有限公司Zhang YimingBeijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,Ltd

SiC單晶的坩堝結構及PVT生長工藝條件的改進SiC Single Crystals with Modification of Crucible Structure and Process Condition for PVT GrowthWon-Jae LEE韓國東義大學教授、釜山電力半導體研究所所長Won-JaeLEEProfessor of Dong-Eui University,Director of Busan Power Semiconductor Lab.

異質集成氮化鎵功率模塊的量產制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

用于藍綠光Mini/Micro-LED生產的MOCVD新型裝備Blue/Green Mini and Micro-LEDs Grown on Large Size Substrates for Advanced Display Applications陳耀中微公司MOCVD工藝總監Yao CHENDirector of MOCVD Process Technology，Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China

化合物半導體工藝設備解決方案 Equipment and Processes Solutions in Compound Semiconductor王顯剛北京北方華創微電子裝備有限公司LED及化合物半導體行業發展部總經理WANGXiangangGeneral Manager ofLED and Compound Semiconductor Developmentdepartment, Beijing NAURA Microelectronics Equipment Co.,ltd.

SiC功率器件制造工藝特點與核心裝備創新進展Manufacturing process characteristics and key equipment development of SiC power devices鞏小亮中國電子科技集團公司第四十八研究所 半導體裝備研究部副主任GONGXiaoliang Deputy director of Semiconductor equipment research department, the 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

《寬禁帶半導體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術有限公司

OMMIC公司董事長、巴黎高等電子研究所終身教授Marc Christian ROCCHI（四川益豐基礎研發部部長王祁鈺代講）介紹了《100nm and 60 nm Si 上GaN MMIC工藝和產品》主題報告，報告中將首先從射頻性能和可靠性的角度來綜述GaN on Si工藝。檢查各種10W功率放大器在30GHz和39GHz的性能，PAE高達35%，增益23 dB。從20到34 GHz有20dB增益和1.5 dB NF的寬帶LNAs。用30GHz 5W和2.7dB NF T/R芯片以及600mW 90GHz功率放大器來演示這些工藝的性能

為了使基于AlGaN材料的深紫外LED能夠更廣泛地應用于固化、水和空氣的凈化及醫療消毒等各方面，必須要大幅地降低其成本。提高深紫

上海大學教授，Ultratrend Technologies Inc總裁吳亮分享了大批量工藝制備的高質量氮化鋁模板材料表征分析。報告中介紹了使用Ult

紫外LED因其在醫療、印刷、環境凈化等領域的廣闊應用前景，近年來市場份額日益增高。因紫外LED的高功率，出光率偏低的特性，散熱問題已經成為制約紫外LED發展應用的主要瓶頸之一。復旦大學副研究員劉盼分享了燒結銀芯片連接工藝與石墨烯覆銅基板對紫外LED封裝的熱模擬分析。劉盼2011年開發了可調制光捕捉表面，顯著提升了薄膜硅基太陽能電池效率。2012年至2016年，與荷蘭飛利浦照明緊密合作，共同研發了一款微縮體積照明封裝系統，

西安衛光科技微晶微電子有限公司總工程師、博士馮 巍 《SiC功率MOSFET封裝工藝》

瑞士Microdiamant研發部門負責人Christian JENTGENS帶來了題為多晶金剛石微納米粉在SiC晶片加工中的應用及其關鍵工藝技術的主題報告，報告表示，碳化硅業務的主要目標是提高效率，并介紹了SiC晶圓加工的個性化解決方案，從廠商角度分享了碳化硅晶圓最重要的特征，如何判斷產品品質優劣以及關鍵的流程步驟等內容。

本期嘉賓華中科技大學教授、博士生導師陳明祥為大家分享《紫外/深紫外LED封裝技術與工藝研究》

晶科電子陳海英博士：技術工藝、標準制定與觀念接受是健康照明需要面對的挑戰

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業的Si功率器件，GaN器件應當設計為增強型（e-mode），并通過低成本，

乾照光電目前是國內比較領先的紅光制造商，來自乾照光電股份有限公司技術副總監陳凱軒分享了“藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝”報告。他首先介紹了藍寶石襯底AlGaInP紅光LED外延和芯片制作工藝。 此外他表示，目前主流的會議室或者是戶外主流使用的顯示技術是LED、DLP、LCD三種，這三種顯示技術LED是主動式的發光，相對于另外兩種被動式的發光，它的對比度，還有它顯示效果要更加的優異，現在基本上在戶內、戶外的顯示都是逐步被LED取代。另外一個很重要的區別，DLP、LCD的拼接模塊

愛思強全球副總裁Michael HEUKEN ：Micro LED顯示屏-高產率MOCVD工藝路徑。報告中，Michael HEUKEN 分享了關于 Micro LED相關設備的研究進展及成果，也包括一些生產平臺等技術。他同時表示，未來非常期待手機顯示器就.....請您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復觀看！

北京北方華創微電子裝備有限公司第一刻蝕BU副總經理劉利堅介紹了LED工業中的干法刻蝕工藝技術和關鍵設備。劉利堅長期以來從事高端微電子裝備設計開發工作，對于等離子體刻蝕和PECVD設備的硬件設計和工藝應用有豐富經驗。劉利堅介紹了等離子刻蝕的一些技術問題，并具......