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基于超短周期超晶格AlN/GaN的深紫外短波光發射調控Deep-ultraviolet light extraction towards shorter wavelength based on ultrashort-period AlN/GaN suplerlattices高娜廈門大學副教授GAO NaAssociate Professor of Xiamen University

《基于牛眼結構微腔的碳化硅單光子發射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學深圳研究院，南京大學電子科學與工程學院

《寬禁帶III族氮化物中點缺陷單光子發射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學精密機械

德國 ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應變控制和優異發射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報告。他表示，精準的應變控制對硅基鎵氮的晶圓，能夠通過結合形成中間層來獲得，能夠讓我們有精確的應變控制，之前產業是沒有想象過的，能夠讓我們實現剛剛說的五大特點。問題是什么？ 副作用是什么？我們看沒有幅面的作用，對于我們生產來說是完全可以實現的。

中國科學院半導體研究所固態照明研發中心張連分享“選擇區域生長AlGaN/GaN異質結雙極晶體管的n-AlGaN發射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質結雙極晶體管（HBT）具有本征優點，例如更高線性度，常關工作模式和更高的電流密度。然而，其發展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導電性，以及外部基極區域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質量的選擇性區域再生長基底層和發射極層。通過使用選擇