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激光雷達(dá)用的1550nm磷化銦半導(dǎo)體激光器1550 nm InP semiconductor laser for lidar黃永光河南仕佳光子科技股份有限公司有源產(chǎn)品技術(shù)總監(jiān),中科院半導(dǎo)體所研究員HUANG YongguangTechnical Director of Henan Shijia Photons Technology Co., Ltd., Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences

基于藍(lán)光半導(dǎo)體激光器的新器件：SWOT分析New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.Mike LESZCZYNSKI波蘭高壓物理研究所研究員Mike LESZCZYNSKIProfessor of Institute of High Pressure Physics, Poland

半導(dǎo)體激光器的理論和實(shí)踐都取得巨大成果。近年來,GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器憑其優(yōu)勢，在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。但是GaAs基大功率半導(dǎo)體激光器仍面臨著功率不足、發(fā)熱量大及光束質(zhì)量差的問題。光電性能差是限制其應(yīng)用的關(guān)鍵問題，如何進(jìn)一步提高激光器的光電性能是半導(dǎo)體激光器面臨的挑戰(zhàn)。朱振博士在報告中，詳細(xì)分享了GaAs半導(dǎo)體激光器關(guān)鍵技術(shù)及最新研究進(jìn)展，報告指出基于GaAs襯底的6x x（635-690），8 x x（780-880），9 x x