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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
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北京大學(xué)理學(xué)部副主任
基于大失配外延的氮化物第三代半導(dǎo)體材料與器件Nitride Semiconductor Materials and Devices Based on Large Mismatch Epitaxy沈波北京大學(xué)理學(xué)部副主任、特聘教授SHEN Bo Deputy Deanand Distinguished Professorof Facultyof Science, Peking University
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IFWS2025-01-09 15:42
北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科
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北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科
LED光療在女性生殖健康中的臨床應(yīng)用Clinical Applications of LED Phototherapy in Women's Reproductive Health吳章鑫北京大學(xué)第三醫(yī)院婦科主治醫(yī)師WU ZhangxinGynecologist of Peking University Third Hospital
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SSLCHINA2025-01-09 14:49
北京大學(xué)教授、北大東
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北京大學(xué)教授、北大東
藍(lán)寶石襯底InGaN基紅色LED及MicroLEDInGaN based red LEDs and MicroLEDs on sapphire substrate王新強(qiáng)北京大學(xué)教授、北大東莞光電研究院院長(zhǎng)WANG XinqiangDean of Dongguan Institute of Opto-electronics, Peking University
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guansheng2023-05-22 13:59
北京大學(xué)聶靖昕：Addi
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北京大學(xué)聶靖昕：Addi
Additional Light Components Decrease the Light Damage on Rats Retina聶靖昕北京大學(xué)NIE JingxiPeking University
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guansheng2023-05-22 11:51
北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
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北京大學(xué)工學(xué)院特聘研
超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體Cubic boron arsenide and boron nitride crystals with ultrahigh thermal conductivity 宋柏北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員SONG BaiProfessor of Peking University
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guansheng2023-05-19 14:21
北京大學(xué)第六醫(yī)院黨衛(wèi)
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北京大學(xué)第六醫(yī)院黨衛(wèi)
光照治療提高抑郁發(fā)作患者的腦功能light therapy improves brain functioning of patients with depression黨衛(wèi)民北京大學(xué)第六醫(yī)院（北京大學(xué)精神衛(wèi)生研究所）精神科醫(yī)生、心理治療師DANG WeiminPsychiatristPsychotherapist Peking University Sixth Hospital (Peking University Institute of Mental Health)
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guansheng2023-05-19 09:23
北京大學(xué)副教授許福軍
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北京大學(xué)副教授許福軍
AlGaN基低維量子結(jié)構(gòu)外延和電導(dǎo)率調(diào)控研究Study on the epitaxy and conductivity regulation of AlGaN based low dimensional quantum structures許福軍北京大學(xué)物理學(xué)院副教授Xu Fujun - Associate Professor, Peking University
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guansheng2023-05-19 08:51
北京大學(xué)沈波教授：氮
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北京大學(xué)沈波教授：氮
以氮化鎵、氮化鋁為代表的Ⅲ族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體是研制短波長(zhǎng)光電子器件和高頻、高功率電子器件的核心材料體系。由于缺少高質(zhì)量、低成本的同質(zhì)GaN和AlN襯底，氮化物半導(dǎo)體主要通過(guò)異質(zhì)外延，特別是大失配異質(zhì)外延來(lái)制備。由此導(dǎo)致的高缺陷密度、殘余應(yīng)力成為當(dāng)前深紫外發(fā)光器件、功率電子器件等氮化物半導(dǎo)體器件發(fā)展的主要瓶頸，影響了材料和器件性能的提升。沈波教授在報(bào)告中，結(jié)合氮化物半導(dǎo)體面臨的大失配外延生長(zhǎng)問(wèn)題、詳細(xì)分
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guansheng2022-09-09 15:47
北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
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北京大學(xué)劉軒：基于結(jié)
基于結(jié)終端擴(kuò)展的kV級(jí)硅基GaN準(zhǔn)垂直結(jié)構(gòu)pn二極管劉軒，王茂俊*，魏進(jìn)，文正，解冰，郝一龍，楊學(xué)林，沈波北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 13:46
北京大學(xué)孫棟: 基于拓
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北京大學(xué)孫棟: 基于拓
基于拓?fù)浒虢饘俚母咝阅芄怆娞綔y(cè)孫棟北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 12:04
北京大學(xué)陳兆營(yíng)：面向
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北京大學(xué)陳兆營(yíng)：面向
面向氮化物全彩顯示的InGaN基紅光Mini/Micro-LED研究陳兆營(yíng)，盛博文，劉放，李鐸，袁澤興，葛惟昆，沈波，梁文驥，趙春雷，閆龍，Jason Hoo，郭世平，王新強(qiáng)*北京大學(xué)
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guansheng2022-09-01 11:23
許福軍：AlGaN基深紫
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許福軍：AlGaN基深紫
《AlGaN基深紫外LED材料和器件研究》作者：許福軍，沈波，單位：北京大學(xué)物理學(xué)院
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limit2022-01-05 09:53
【視頻報(bào)告 2018】北
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【視頻報(bào)告 2018】北
北京大學(xué)陳志忠教授在《Operation behavior under extremely high injection level for GaN-based micron LED》報(bào)告中指出，我們制作不同直徑微柱LEDs不同波長(zhǎng)和不同的基質(zhì)。測(cè)量了電致發(fā)光(EL)譜和電流-電壓(I-V)曲線。高飽和電流密度達(dá)到300 kA / cm2 20m紫外線導(dǎo)致氮化鎵襯底。效率為L(zhǎng)EDs下垂也大大提高。采用橫光軟件模擬高注入水平下的輸運(yùn)和重組過(guò)程。綜合量子漂移-擴(kuò)散模型考慮了多體效應(yīng)。并介紹了超高注入機(jī)理。
86200
limit2021-04-29 12:29
【視頻報(bào)告 2018】北
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【視頻報(bào)告 2018】北
垂直氮化鎵器件，尤其是硅襯底上，因其低成本襯底而引起了人們對(duì)大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問(wèn)題是在硅襯底上實(shí)現(xiàn)低位錯(cuò)密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會(huì)上，北京大學(xué)馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實(shí)踐，分享了Si襯底上GaN基外延材料生長(zhǎng)及雜質(zhì)缺陷研究的成果，首次提供了在C摻雜半絕緣氮化鎵中取代C原子占據(jù)N位點(diǎn)的明確證據(jù)。
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limit2021-04-29 12:05
【視頻報(bào)告】北京大學(xué)
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【視頻報(bào)告】北京大學(xué)
北京大學(xué)劉放做了題為高質(zhì)量h-BN薄層和針對(duì)III族氮化物外延的緩沖層應(yīng)用的主題報(bào)告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結(jié)晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應(yīng)用的研究成果。
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limit2020-02-02 16:27
極智報(bào)告|北京大學(xué)東
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極智報(bào)告|北京大學(xué)東
北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報(bào)告。
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limit2025-04-05 07:31
極智報(bào)告|北京大學(xué)微
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極智報(bào)告|北京大學(xué)微
北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進(jìn)展報(bào)告。她主要介紹了一種無(wú)等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)了高性能的增強(qiáng)型GaN MOSHEMT。
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limit2025-04-05 07:31
極智報(bào)告|北京大學(xué)教
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極智報(bào)告|北京大學(xué)教
北京大學(xué)教授陳志忠介紹了基于納米圖案藍(lán)寶石襯底通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)藍(lán)綠色LED。陳志忠表示，GaN基青光LED通過(guò)低壓金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）生長(zhǎng)得到。首先在成核層上進(jìn)行兩步法高溫生長(zhǎng)GaN模板，接著在模板上生長(zhǎng)青光LED，波長(zhǎng)為490nm。通......請(qǐng)您在WIFI條件下觀看！或下載極智APP收藏反復(fù)觀看！
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limit2025-04-05 07:31

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