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GaN半導(dǎo)體垂直腔面激光器的仿真設(shè)計(jì)與分析Simulation Design and Analysis of GaN Semiconductor Vertical Cavity Surface Laser張紫輝河北工業(yè)大學(xué)教授ZHANG ZihuiProfessor of Hebei University of Technology

Critical aspects of deep-UV LED design and operation深紫外LED仿真設(shè)計(jì)及操作關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)展茅艷琳蘇州思體爾軟件科技有限公司技術(shù)支持工程師Yanlin MaoTechnical support engineer of SuZhou STR Software Technology Co., Led.

AlGaN基深紫外發(fā)光器件設(shè)計(jì)與仿真研究Design and simulation of AlGaN-based Deep Ultraviolet Emitters劉玉懷鄭州大學(xué)電氣與信息工程學(xué)院教授、科技部電子材料與系統(tǒng)國(guó)家級(jí)國(guó)際聯(lián)合研究中心主任、河南省電子材料與系統(tǒng)國(guó)際聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室主任LIU YuhuaiProfessor and Director of National Center for International Joint Research of Electronic Materials and Systems, International Joint-Laboratory of Electronic Materials an

河北半導(dǎo)體研究所高級(jí)工程師的李靜強(qiáng)分享了《GaN 內(nèi)匹配封裝器件仿真技術(shù)研究》主題報(bào)告。

桂林電子科技大學(xué)機(jī)電工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授楊道國(guó)帶來(lái)了題為電子封裝中界面層裂的仿真模擬與表征的報(bào)告，分享了該領(lǐng)域的最新研究成

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種