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中國科學院北京納米能
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中國科學院北京納米能
寬禁帶材料具有非中心對稱的晶體結構,因而表現出顯著的壓電特性,長期以來這些材料中壓電極化電荷和半導體特性的耦合過程被忽略。近年來對于壓電電子學和壓電光電子學的基礎及應用研究取得了快速地發展。多種功能材料中的壓電電子學和壓電光電子學的基本效應得到了系統深入地研究,相關的理論體系得以建立,諸多壓電電子學和壓電光電子學器件也被設計研發。會上,王中林院士帶來了壓電學理論與研究成果的分享,報告結合具體的數據
2015
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guansheng
2022-09-10 15:42
江蘇
第三代
半導體研究
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江蘇
第三代
半導體研究
GaN基Micro-LED同質外延及其性能表征王國斌*,閆其昂,周溯沅,李增林,蘇旭軍,劉宗亮,王建峰,徐科江蘇第三代半導體研究院有限公司中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司
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guansheng
2022-09-01 11:36
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