張榮：基于寬禁帶半導(dǎo)
4060
林科闖：大功率 GaN
4150
郝躍： 寬禁帶與超寬
4100
蔣科：寬禁帶氮化物半
1120
黃火林：GaN基增強(qiáng)型H
1320
孫瑞澤：全氮化鎵集成
930
郭煒：III族氮化物極
1940
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
朱志甫：10BN中子探測
980
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
徐尉宗：具有高可靠感
1680
葉建東：氧化鎵基雙極
3530
李天義：SiC紫外單光
1650
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
3560
何云斌：ZnO多元合金
1750
汪萊：寬禁帶半導(dǎo)體異
1180
陳敦軍：高增益AlGaN
580
詹騰：金屬氧化物/AlG
1470
汪丹浩：基于寬禁帶鋁
1220
楚春雙：基于III族氮
1980
