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前瞻|松山湖材料實驗室王方洲將出席“2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”并做報告

日期:2025-02-14 閱讀:297
核心提示:2月26-28日,”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶融創施柏閣酒店舉辦。松山湖材料實驗室工程師王方洲受邀將出席論壇,并帶來《基于Schottky-MIS級聯陽極結構的低功耗GaN橫向功率二極管研究》的主題報告,敬請關注!

頭圖

采用寬禁帶半導體氮化鎵(GaN)材料的功率二極管具備高擊穿電壓和低導通電阻等特性。然而,基于橫向AlGaN/GaN異質結的GaN橫向功率二極管目前仍然存在較高開啟電壓/導通壓降/泄漏電流所導致的功耗較大問題。

2025年2月26-28日,”2025功率半導體制造及供應鏈高峰論壇”將在重慶山城國際會議中心舉辦。本次論壇由第三代半導體產業技術創新戰略聯盟(CASA)與三安光電股份有限公司共同主辦,極智半導體產業網(m.ynpmqx.com)、第三代半導體產業、重慶三安半導體有限責任公司、北京麥肯橋新材料生產力促進中心有限公司承辦,重慶郵電大學、重慶大學、湖南三安半導體有限責任公司等單位協辦。      

松山湖材料實驗室工程師王方洲受邀將出席論壇,并帶來《基于Schottky-MIS級聯陽極結構的低功耗GaN橫向功率二極管研究》的主題報告,將分享相關研究成果與進展,涉及Schottky-MIS級聯陽極結構等內容。報告詳情,敬請關注!  

嘉賓簡介

 王方洲

王方洲

松山湖材料實驗室公共技術平臺工程師

王方洲,博士,松山湖材料實驗室公共技術平臺工程師,2018~2023于電子科技大學功率集成技術實驗室攻讀博士學位,專注于GaN功率半導體器件的理論模型、結構設計、制造工藝等方面的研究,完整經歷公共技術平臺下屬微加工與器件平臺的GaN器件工藝能力建設進程。近年來,參與多項國家級和省部級項目,主持完成多項企業橫向課題,在IEEE Electron Device Lett.和IEEE Trans. Electron Devices等SCI期刊和國際會議上發表科研論文20余篇,其中第1作者論文10篇,h-index為12,總被引次數超400次,獲授權中國發明專利5項。 

“先進半導體產業大會(CASICON)”

“先進半導體產業大會(CASICON)”是由極智半導體產業網主辦,每年在全國巡回舉辦的行業綜合活動。CASICON 系列活動以助力第三代半導體產業為己任,聚焦先進半導體產業發展熱點,聚合產業相關各方訴求,持續輸出高質量的活動內容。自活動啟動以來,足跡已走過南京、長沙、西安、深圳、成都、濟南、上海等城市,圍繞產業鏈不同環節熱點,通過“主題會議+推薦展示”的形式,搭建了良好的交流平臺,促進了參與各方交流合作,捕捉合作新機遇,發揮了重要的橋梁與聚合價值。

目前論壇組織正有序進行中,論壇誠邀全產業鏈相關專家學者、企業、從業人士蒞臨現場交流研討、參觀&合作。日程安排及專家、報告人詳見下圖!

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