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中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾

北京大學劉放做了題為高質量h-BN薄層和針對III族氮化物外延的緩沖層應用的主題報告，分享了在Al2O3（0001）基底上MBE異位高溫退火合成結晶h-BN，晶體h-BN作為Ⅲ族氮化物外延柔性緩沖層的應用的研究成果。