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氧化鎵高導熱異質集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學教授YE JiandongProfessor of Nanjing University

35-5V單片集成GaN基DC-DC浮動降壓轉換器A 35-5 V Monolithic integrated GaN-based DC-DC Floating Buck Converter朱昱豪西交利物浦大學ZHU YuhaoXi'an Jiaotong-Liverpool University

國產汽車芯片協力推動汽車電子產業鏈發展傅建軍中科芯集成電路有限公司MCU事業部副總經理FU JianjunChina KEY SYSTEMIntegrated Circuit Co., Ltd

異質集成氮化鎵功率模塊的量產制造工藝研究A Fabrication Process for Heterogeneous Integrated GaN Power Modules王文博甬江實驗室研究員WANG WenboProfessor of Yongjiang Laboratory (Y-Lab)

高可靠功率系統集成的發展和挑戰Development and Challenge of High-Reliability Power System in Packaging侯峰澤中國科學院微電子研究所系統封裝與集成研發中心副研究員Fengze HOUAssociate Professor、 Packaging and Integration Research and Development Center, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences

用于極端環境電子產品的 SiC 集成電路SiC Integrated Circuit for Extreme Environment ElectronicsCarl-Mikael Zetterling--瑞典皇家理工學院教授Carl-Mikael Zetterling--Professor of Royal Institute of Technology (KTH), Sweden

集成功率器件與智能控制單元、基于片上系統解決方案的智能功率芯片技術成為未來功率系統的最佳選擇。然而，傳統的硅功率器件的效率、開關速度以及最高工作溫度已逼近其極限，使得寬禁帶半導體氮化鎵成為應用于功率管理的理想替代材料。香港科技大學教授陳敬做了全GaN功率集成技術的報告，該技術能夠實現智能功率集成所需的功率模塊和各種控制單元模塊。

化合物半導體是未來核心材料，市場逐步擴大，全球各大廠商都在布局化合物半導體產業鏈，在功率器件、射頻器件，與終端消費電子領