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田朋飛：基于Micro-LE
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田朋飛：基于Micro-LE
《基于Micro-LED陣列的水下雙工可見光通信及水下充電系統(tǒng)》作者：林潤(rùn)澤，崔旭高，田朋飛單位：復(fù)旦大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
26500
limit2022-01-10 10:26
陳景文：高性能深紫外
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陳景文：高性能深紫外
《高性能深紫外UVC-LED研發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化》作者：陳景文，吳峰，戴江南，陳長(zhǎng)清單位：武漢光電國(guó)家研究中心，華中科技大學(xué)，湖北深紫科技有限公司
18100
limit2022-01-10 10:23
郭煒：III族氮化物極
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郭煒：III族氮化物極
《III族氮化物極性調(diào)控在光電子及電力電子器件中的新應(yīng)用》作者：郭煒，陳荔，徐厚強(qiáng)，戴貽鈞，林偉，康俊勇, 葉繼春?jiǎn)挝唬褐袊?guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所，廈門大學(xué)
19400
limit2022-01-10 10:22
朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
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朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學(xué)
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limit2022-01-10 10:21
陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
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陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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limit2022-01-07 15:02
Jiaying Shen: Band o
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Jiaying Shen: Band o
Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
16300
limit2022-01-07 15:01
張文輝：升華法生長(zhǎng)β
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張文輝：升華法生長(zhǎng)β
《升華法生長(zhǎng)相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
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陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
21900
limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
790
穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
1840
湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
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limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
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張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
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limit2022-01-07 14:21
朱志甫：10BN中子探測(cè)
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朱志甫：10BN中子探測(cè)
《10BN中子探測(cè)材料生長(zhǎng)與器件制備》作者：朱志甫，王少堂，鄒繼軍，甘勇，湯彬單位：鄭州工程技術(shù)學(xué)院，東華理工大學(xué)
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limit2022-01-07 14:20
Jiaxiang Chen: Elect
1600
Jiaxiang Chen: Elect
Electrical Characterization of Vertical -Ga2O3 SBD w/o epi-layerJiaxiang Chen, Haolan Qu, Xing Lu, Xinbo ZouSchool of Information Science and Technology, ShanghaiTech University, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University
16000
limit2022-01-07 14:19
張輝：氧化鎵晶體的生
2650
張輝：氧化鎵晶體的生
《氧化鎵晶體的生長(zhǎng)、缺陷及摻雜》作者：張輝，夏寧，劉瑩瑩，李成，楊德仁單位：浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心
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limit2022-01-07 14:18
唐寧：氮化鎵量子阱中
1770
唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品v，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
710
徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
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limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號(hào)
840
張亞民：基于脈沖信號(hào)
《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
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limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
1700
劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
17000
limit2022-01-07 13:47
劉少煜：一種通過提高
3350
劉少煜：一種通過提高
《一種通過提高界面處sp2-碳含量改良4H-SiC歐姆接觸的方法》作者：劉少煜，程新紅，鄭理，劉曉博，俞躍輝單位：中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所
33500
limit2022-01-07 13:35
張赫朋：室溫1.04 mA/
1340
張赫朋：室溫1.04 mA/
《室溫1.04 mA/cm2峰值電流密度AlN/GaN雙勢(shì)壘共振隧穿二極管》作者：張赫朋，薛軍帥，張進(jìn)成，郝躍單位：西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院
13400
limit2022-01-07 13:34

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