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中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
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中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)
GaN基光電材料外延與MOCVD反應(yīng)腔結(jié)構(gòu)關(guān)聯(lián)性研究Research on the Correlation Between GaN-based Optoelectronic Material Epitaxy and MOCVD Reactor Chamber Structure姚威振中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員、中科重儀半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)始人YAO WeizhenAssociate Professor of Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Co-founder of CASInstruments Semiconductor Co., Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:42
中科院蘇州納米所研究
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中科院蘇州納米所研究
硅襯底GaN基光電材料外延生長(zhǎng)Epitaxial Growth of GaN Based Photoelectric Materials on Silicon Substrate孫錢中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員SUN QianProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:41
南京大學(xué)劉歡：等離子
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南京大學(xué)劉歡：等離子
等離子體輔助分子束外延生長(zhǎng)AlN薄膜AlN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy劉歡南京大學(xué)LIU HuanNanjing University
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IFWS2025-01-09 14:40
辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用
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辰華半導(dǎo)體郭炳磊：用
用于氮化鎵異質(zhì)外延的高溫PVD氮化鋁緩沖層技術(shù)High Temperature PVD AlN e Buffer Layer Technology for GaN Heteroepitaxy
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IFWS2025-01-09 14:28
中電科第十三所高級(jí)工
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中電科第十三所高級(jí)工
6英寸復(fù)合襯底上厚GaN外延生長(zhǎng)研究Growth of Thick GaN Epilayers on 150mm Engineered Substrate韓穎中國(guó)電子科技集團(tuán)第十三所高級(jí)工程師HAN YingSenior Engineer of Hebei Semiconductor Research Institute
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IFWS2025-01-09 14:27
日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
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日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)
氮化鋁基半導(dǎo)體材料及器件的最新進(jìn)展Recent Progress on AlN-based Semiconductor Materials and Devices谷保芳孝日本NTT基礎(chǔ)研究實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人、資深杰出研究員Taniyasu YOSHITAKAGroup leader and Senior Distinguished Researcher of NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation
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IFWS2025-01-09 14:25
中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
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中國(guó)科學(xué)院蘇州納米所
氨熱法氮化鎵單晶生長(zhǎng)研究進(jìn)展及面臨的挑戰(zhàn)Progress and Challenges in Bulk GaN Crystal Growth by Ammonothermal Method任國(guó)強(qiáng)中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、研究員REN GuoqiangProfessorof Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO), Chinese Academy of Sciences
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IFWS2025-01-09 14:24
中電科四十六所新材料
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中電科四十六所新材料
氮化鋁單晶材料研究進(jìn)展與應(yīng)用展望Research Progress and Application Prospect of AlN Single Crystal Materials程紅娟中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六所新材料研發(fā)中心副主任CHENG HongjuanDeputy Director of New Materials Research and Development Center of CETC 46THInstitute
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IFWS2025-01-09 14:21
思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
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思體爾總經(jīng)理LAMBRINA
基于量產(chǎn)的氮化鎵基光電子及功率器件的外延建模Modeling of Production-scale Epitaxy for Optical and Power GaN-based Devices LAMBRINAKIMARIIA蘇州思體爾軟件科技有限公司總經(jīng)理LAMBRINAKI MARIIAGeneral Manager of Suzhou STR Software CO.,Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:20
士蘭微電子功率系統(tǒng)應(yīng)
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士蘭微電子功率系統(tǒng)應(yīng)
高性能SiC解決方案賦能新一代主驅(qū)應(yīng)用朱曉慧杭州士蘭微電子股份有限公司功率系統(tǒng)應(yīng)用技術(shù)高級(jí)經(jīng)理
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IFWS2025-01-09 14:19
芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉
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芯聚能半導(dǎo)體總裁周曉
碳化硅產(chǎn)業(yè)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)周曉陽(yáng)廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司總裁
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IFWS2025-01-09 14:17
英飛凌主任工程師張浩
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英飛凌主任工程師張浩
英飛凌最新車規(guī)SiC產(chǎn)品與應(yīng)用張浩英飛凌科技（中國(guó)）有限公司主任工程師
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IFWS2025-01-09 14:16
安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC
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安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC
安世碳化硅，綠色出行和綠色能源發(fā)展的助推器王駿躍安世半導(dǎo)體中國(guó)區(qū)SiC戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人
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IFWS2025-01-09 14:13
中車科學(xué)家劉國(guó)友：軌
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中車科學(xué)家劉國(guó)友：軌
軌道交通SiC功率器件研究與應(yīng)用進(jìn)展劉國(guó)友株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司中車科學(xué)家、功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任
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IFWS2025-01-09 14:12
長(zhǎng)城汽車投資總監(jiān)耿偉
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長(zhǎng)城汽車投資總監(jiān)耿偉
國(guó)產(chǎn)化芯片機(jī)會(huì)和長(zhǎng)城汽車布局耿偉長(zhǎng)城汽車投資總監(jiān)
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IFWS2025-01-09 14:11
艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)
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艾姆希半導(dǎo)體銷售總監(jiān)
第四代半導(dǎo)體材料平坦化研究進(jìn)展Research Progress on Planarization of Fourth Generation Semiconductor Materials趙志強(qiáng)北京艾姆希半導(dǎo)體科技有限公司銷售總監(jiān)ZHAO ZhiqiangSales Director of MCF Technologies Ltd.
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IFWS2025-01-09 14:07
弗吉尼亞理工大學(xué)電力
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弗吉尼亞理工大學(xué)電力
面向的Ga2O3功率器件應(yīng)用：封裝、魯棒性和多維器件Ga2O3Power Device Toward Application: Packaging, Robustness, and Multidimensional Devices張宇昊弗吉尼亞理工大學(xué)電力電子中心副教授ZHAGN YuhaoAssociate Professor of Center for Power Electronics Systems at Virginia Tech
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IFWS2025-01-09 14:06
大連理工大學(xué)副教授張
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大連理工大學(xué)副教授張
氧化鎵中缺陷擴(kuò)展及模型Defect Expansion and Model in Gallium Oxide張赫之大連理工大學(xué)副教授ZHANG HezhiAssociate Professor, Dalian University of Technology
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IFWS2025-01-09 14:04
深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代
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深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代
超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵和氮化鋁特性研究Research on the Characteristics of Ultra-wide Bandgap Semiconductor GaO and AlN張道華深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第四代半導(dǎo)體首席科學(xué)家、新加坡工程院院士ZHANG DaohuaChief Scientist of Fourth-generation Semiconductors of Shenzhen Pinghu Laboratory, Academician the Academy of Engineering, Singapore
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IFWS2025-01-09 14:02
南京大學(xué)教授葉建東:
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南京大學(xué)教授葉建東:
氧化鎵高導(dǎo)熱異質(zhì)集成射頻器件High Thermal Conductivity Heterogeneous Integrated RF Devices for Ga?O?葉建東南京大學(xué)教授YE JiandongProfessor of Nanjing University
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IFWS2025-01-09 14:01

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