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近年來，寬禁帶半導體已成為全球高技術(shù)競爭戰(zhàn)略制高點之一，國際半導體及材料領(lǐng)域研究和發(fā)展的熱點，基于寬禁帶半導體材料，半導

近日，由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、中國半導體照明網(wǎng)主辦的2021 Mini/Micro-LED顯示技術(shù)商業(yè)化應(yīng)用論壇成功召開。廣東省科學院半導體研究所

4月21日，在NEPCON China 2021（第三十屆中國國際電子生產(chǎn)設(shè)備暨微電子工業(yè)展覽會）期間，由半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)和勵展博覽集團共同主辦

一代材料，一代器件，一代裝備，一代應(yīng)用。隨著以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料為代表的第三代半導體應(yīng)用技術(shù)的不斷進步與產(chǎn)

極智享法專欄特聘請北京恒都律師事務(wù)所為長期法律知識普及及法律援助單位，致力于為從事半導體產(chǎn)業(yè)的公司及業(yè)者提供法律服務(wù)。北

作為MOCVD技術(shù)和化合物半導體材料器件研發(fā)交流的平臺，自1989年第一屆會議舉辦以來，全國MOCVD學術(shù)會議已經(jīng)成功舉辦了十五屆，會